臺積電2017追上英特爾 不只是放狠話

　　臺積電共同營運(yùn)長蔣尚義昨(22)日表示，臺積電由20納米跨入16納米制程微縮時(shí)間確定縮短1年，即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構(gòu)的16納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程。為了滿足客戶需求，臺積電已決定加快研發(fā)腳步，“希望10納米世代就能全面趕上英特爾”，時(shí)間點(diǎn)就落在2017年。

　　臺積電董事長張忠謀在日前法說會中宣布，今年資本支出拉高至95~100億美元，且16納米FinFET制程要提前一年量產(chǎn)。主掌臺積電技術(shù)研發(fā)的蔣尚義昨天則說明，加快16納米量產(chǎn)，是因?yàn)榭蛻魧Υ擞袕?qiáng)烈需求。

　　蔣尚義表示，臺積電明年開始進(jìn)入20納米單芯片(SoC)制程量產(chǎn)，16納米FinFET制程理論上應(yīng)該是20納米量產(chǎn)的2年后才會導(dǎo)入，不過，這只是特例而非常態(tài)，主要是英特爾已成為臺積電的間接競爭對手。

　　蔣尚義表示，過去英特爾要生產(chǎn)處理器，所以半導(dǎo)體制程一直是最先進(jìn)的，但現(xiàn)在英特爾搶進(jìn)行動(dòng)裝置市場，臺積電很多客戶都開始要跟英特爾競爭，也因此，客戶要臺積電加快研發(fā)速度，臺積電當(dāng)然從善如流，加快制程的微縮時(shí)程，才不會讓客戶失去競爭力。

　　根據(jù)臺積電目前規(guī)劃，2014年開始導(dǎo)入20納米SoC制程量產(chǎn)，2015年導(dǎo)入16納米FinFET制程量產(chǎn)，但后續(xù)的10納米量產(chǎn)時(shí)間，仍將在16納米量產(chǎn)之后2年才會導(dǎo)入，也就是2017年臺積電將進(jìn)入10納米世代，且可望首度采用先進(jìn)的極紫外光(EUV)微影技術(shù)。

　　蔣尚義表示，為了滿足客戶對先進(jìn)制程的需求，臺積電已集結(jié)了開放創(chuàng)新平臺(OIP)中的各供應(yīng)商，投入龐大資源加速制程推進(jìn)速度，“希望10納米世代就能全面趕上英特爾”。

　　英特爾的制程推進(jìn)仍依循摩爾定律，2014年14納米將進(jìn)入量產(chǎn)階段，2016年后則導(dǎo)入10納米量產(chǎn)，由此來看，若臺積電能在2015年以10納米量產(chǎn)投片，的確已追趕上英特爾。

　　臺積電及英特爾均參加了微影設(shè)備大廠艾司摩爾(ASML)的“客戶聯(lián)合投資專案”，共同開發(fā)EUV微影技術(shù)，近期研發(fā)上已有所突破。ASML指出，EUV光源功率已提升到55W，每小時(shí)可處理43片晶圓，10納米世代可望開始導(dǎo)入EUV技術(shù)。