臺(tái)積電10納米 競(jìng)爭(zhēng)壓力大

　　半導(dǎo)體巨擘英特爾發(fā)布最新的先進(jìn)制程技術(shù)藍(lán)圖，其中眾所關(guān)注的10納米預(yù)計(jì)2015年量產(chǎn)，比原先規(guī)劃時(shí)間提早一年，并進(jìn)一步拉大領(lǐng)先臺(tái)積電(2330)的時(shí)間。

　　臺(tái)積電的10納米預(yù)計(jì)2017年量產(chǎn)，較英特爾晚兩年。半導(dǎo)體業(yè)界人士表示，雖然英特爾技術(shù)不斷超前，是因應(yīng)處理器速度的需求，但英特爾已在晶圓代工正式卡位，一旦10納米在2015年量產(chǎn)，對(duì)臺(tái)積電仍有潛在的競(jìng)爭(zhēng)壓力。

　　臺(tái)積電日前一度因?yàn)槊绹?guó)寬松貨幣政策傳出退場(chǎng)，跌破108元月線區(qū)，昨天股價(jià)收盤(pán)小漲1.5元，收在109.5元，股價(jià)獲得支撐。

　　英特爾副總經(jīng)理兼元件研究處長(zhǎng)麥克(Mike Mayberry)在剛剛落幕的比利時(shí)微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC2013科技論壇演講中確認(rèn)，英特爾已確定10納米可于2015年量產(chǎn)。

　　根據(jù)最新技術(shù)藍(lán)圖，英特爾重申繼續(xù)執(zhí)行「Tick-Tock」發(fā)展策略，也就是每?jī)赡陮?duì)半導(dǎo)體技術(shù)制程進(jìn)行大規(guī)模升級(jí)。英特爾預(yù)計(jì)2014年導(dǎo)入14納米制程，2015年導(dǎo)入10奈足制程，并計(jì)劃于2017年抵達(dá)7納米的極先進(jìn)水平。

　　不過(guò)，麥克(Mike Mayberry)表示，英特爾也在研發(fā)10納米以下替代矽的半導(dǎo)體材料，如3-D晶體管、三五族復(fù)合半導(dǎo)等，只希望能將半導(dǎo)體性能發(fā)揮至極致，提升各類(lèi)運(yùn)算的應(yīng)用需求。

　　英特爾今年初因與臺(tái)積電大客戶阿爾特拉(Altera)簽署14 納米Finfet代工合約，被視為進(jìn)軍晶圓代工的正式起跑點(diǎn)。

　　臺(tái)積電共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)暨執(zhí)行副總蔣尚義上月表示，臺(tái)積電以前與英特爾「河水不犯井水」，不過(guò)，隨著英特爾開(kāi)始搶臺(tái)積電客戶的生意，臺(tái)積電先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展將加速，希望在10納米全面趕上英特爾。

　　臺(tái)積電預(yù)計(jì)16納米Finfet僅與20納米差距一年，于2015年推出，10納米計(jì)劃2017年導(dǎo)入量產(chǎn)，在英特爾技術(shù)不斷領(lǐng)先下，對(duì)臺(tái)積電形成挑戰(zhàn)。