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          聯(lián)電加入IBM技術聯(lián)盟 攜手奔向10nm工藝

          作者: 時間:2013-06-17 來源:驅動之家 收藏

            在半導體行業(yè),(UMC)算不上往往與最先進的技術搭不上邊,不過這一次,臺灣代工廠準備走在世界前列了。IBM、今天共同宣布,將加入IBM技術開發(fā)聯(lián)盟,共同參與 CMOS工藝的開發(fā)。IBM技術開發(fā)聯(lián)盟是一個由IBM領導的半導體行業(yè)組織,成立已有數(shù)十年,成員包括GlobalFoundries(原AMD)、特許半導體(已被GF收購)、英飛凌、三星電子、意法半導體等赫赫有名的巨頭,共同致力于先進半導體制造工藝的開發(fā)。相比于Intel、臺積電、三星電子的單打獨斗,這些廠商都是共享資源、聯(lián)合開發(fā),尤其是可以仰仗藍色巨人IBM的雄厚技術實力。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/146392.htm

            事實上,這并不是聯(lián)電第一次和IBM進行此類合作。2012年的時候,雙方曾就14nm FinFET工藝的開發(fā)達成合作。

            在IBM的強力支持下,聯(lián)電會繼續(xù)改進14nm FinFET工藝的內部開發(fā),為移動計算和通信產品提供低功耗的新工藝。

            合作上,IBM聯(lián)盟會針對聯(lián)電客戶的需求開發(fā)基準工藝,聯(lián)電則會派出一隊工程師,前往紐約州奧爾巴尼,參與10nm的開發(fā)工作。

            聯(lián)電的14nm FinFET、10nm工藝部署會在其臺南研發(fā)中心展開。

            



          關鍵詞: 聯(lián)電 10nm

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