未來(lái)十年優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)布局的四個(gè)建議

　　據(jù)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)消息，全國(guó)政協(xié)十二屆一次會(huì)議期間，政協(xié)科協(xié)界43位委員針對(duì)我國(guó)科技事業(yè)發(fā)展等問(wèn)題提出了意見(jiàn)和建議，并提交了提案。這些提案內(nèi)容涉及科技、教育、衛(wèi)生、環(huán)境、民生等一系列關(guān)系社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的熱點(diǎn)問(wèn)題，廣受社會(huì)關(guān)注。

　　集成電路產(chǎn)業(yè)又稱芯片產(chǎn)業(yè)，在韓國(guó)被譽(yù)為生產(chǎn)“工業(yè)糧食”的產(chǎn)業(yè)，在美國(guó)被稱為“生死攸關(guān)的工業(yè)”。它對(duì)增強(qiáng)國(guó)家綜合實(shí)力，加強(qiáng)國(guó)家信息安全至關(guān)重要，是各國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)、科技競(jìng)爭(zhēng)、綜合實(shí)力競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)。當(dāng)前國(guó)際芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展突飛猛進(jìn)，制造工藝正由45-40納米向28-20納米快速演進(jìn)，跨國(guó)公司英特爾、三星、臺(tái)積電等國(guó)際芯片龍頭企業(yè)16-14納米芯片已研發(fā)成功，10-8納米芯片也在開(kāi)發(fā)，我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)一旦落后必將嚴(yán)重受制于人。

　　近年來(lái)，我國(guó)雖然涌現(xiàn)出中芯國(guó)際、華力、武漢新芯、展訊、海思等一批具有相當(dāng)水平的集成電路設(shè)計(jì)與制造企業(yè)。但集成電路產(chǎn)業(yè)從產(chǎn)業(yè)規(guī)模、技術(shù)水平、市場(chǎng)份額等方面都與國(guó)際先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)是世界上最大的芯片消耗國(guó)，但自己提供的芯片不足10%.究其原因：一是產(chǎn)業(yè)布局不集中。從國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑看，集成電路產(chǎn)業(yè)基地往往積聚于知識(shí)與技術(shù)創(chuàng)新基地，相互促進(jìn)、相得益彰。而我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)存在分散、分離現(xiàn)象，產(chǎn)業(yè)基地與自主創(chuàng)新基地不通連，不利于產(chǎn)業(yè)規(guī)?；⒏叨嘶?、可持續(xù)化發(fā)展。二是支持投入嚴(yán)重不足。集成電路產(chǎn)業(yè)特別是高端芯片產(chǎn)業(yè)是資金、技術(shù)、人才高度密集產(chǎn)業(yè)。2012年韓國(guó)三星投資額達(dá)到142億美元，美國(guó)英特爾達(dá)到125億美元，臺(tái)灣臺(tái)積電達(dá)到80至85億美元，而我國(guó)中芯國(guó)際、武漢新芯、上海華力等領(lǐng)先企業(yè)每年投入不足10億美元。三是龍頭企業(yè)特別是領(lǐng)軍企業(yè)不強(qiáng)。國(guó)際經(jīng)驗(yàn)證明，企業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)。目前我國(guó)還缺乏像英特爾、三星、高通、博通、臺(tái)積電這樣具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的龍頭企業(yè)。四是核心技術(shù)受制于人。我國(guó)芯片制造的核心技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備、關(guān)鍵原材料等長(zhǎng)期依靠進(jìn)口，國(guó)內(nèi)芯片制造企業(yè)幾乎都是代工廠，自主創(chuàng)新能力薄弱，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和自主品牌的公司比較少。

　　未來(lái)十年是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)特別是高端集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)突破性發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)期，為此我們提出如下建議：

　　1.進(jìn)一步優(yōu)化我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)特別是高端集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略布局。建議將北京、上海、武漢建設(shè)成為國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展核心區(qū)，以北京中關(guān)村、武漢東湖、上海張江等三個(gè)國(guó)家級(jí)自主創(chuàng)新示范區(qū)為依托，集中優(yōu)勢(shì)資源發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)。強(qiáng)化北京、上海、武漢三大核心區(qū)的戰(zhàn)略定位，充分發(fā)揮其自主創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)與產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，在集成電路設(shè)計(jì)與制造、芯片測(cè)試封裝上力爭(zhēng)取得一批突破性的創(chuàng)新成果，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步。

　　2.建議國(guó)務(wù)院成立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組。由中央領(lǐng)導(dǎo)同志親自掛帥。領(lǐng)導(dǎo)小組下設(shè)辦公室，由發(fā)改委、工信部、財(cái)政部、科技部、國(guó)資委、教育部等國(guó)家部委組成。主要任務(wù)是，制定規(guī)劃、出臺(tái)政策、明確發(fā)展重點(diǎn)與關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前重點(diǎn)是立足高端，制定集成電路產(chǎn)業(yè)五年、十年發(fā)展規(guī)劃，在資本運(yùn)作、政策調(diào)整等方面大力推動(dòng)，爭(zhēng)取在較短時(shí)間取得突破性進(jìn)展。

　　3.完善投入機(jī)制，強(qiáng)化政策支持。建議制定一個(gè)為期十年的推動(dòng)高端集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的投融資計(jì)劃。通過(guò)國(guó)家財(cái)政每年大力投入積極引導(dǎo);國(guó)家重點(diǎn)選擇一批實(shí)力強(qiáng)、效益好的央企，拿出一部分國(guó)有資產(chǎn)經(jīng)營(yíng)性收益設(shè)立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金專項(xiàng)扶持;所在地方政府配套安排，每年籌集1000億元，連續(xù)10年支持投入我國(guó)集成電路特別是高端集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，重點(diǎn)支持以“中國(guó)芯”為代表的高端集成電路產(chǎn)業(yè)突破性發(fā)展。在政策支持方面，應(yīng)積極推進(jìn)國(guó)產(chǎn)集成電路產(chǎn)品政府采購(gòu)。把國(guó)產(chǎn)集成電路特別是高端集成電路及其產(chǎn)品作為政府采購(gòu)的重要方向，明確范圍、明確比例、明確要求，強(qiáng)力實(shí)施。應(yīng)完善財(cái)稅金融支持政策，國(guó)家政策性金融機(jī)構(gòu)應(yīng)給予集成電路產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)以長(zhǎng)期無(wú)息或低息貸款，支持符合條件的集成電路企業(yè)上市融資，支持重點(diǎn)企業(yè)債轉(zhuǎn)股，制定更加積極的稅收優(yōu)惠政策，切實(shí)減輕企業(yè)負(fù)擔(dān)。

　　4.切實(shí)加強(qiáng)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)與領(lǐng)軍人才隊(duì)伍建設(shè)。國(guó)家應(yīng)制定專門(mén)政策積極鼓勵(lì)參與國(guó)際一流公司發(fā)展、有豐富實(shí)際經(jīng)驗(yàn)和國(guó)際視野的高端人才和創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)回國(guó)工作。制定鼓勵(lì)與優(yōu)惠政策措施，大膽吸納各國(guó)精英，引進(jìn)高端人才，打造形成世界一流管理與技術(shù)團(tuán)隊(duì)。由國(guó)家相關(guān)部委成立專門(mén)機(jī)構(gòu)，協(xié)助業(yè)界和核心企業(yè)招募、開(kāi)發(fā)、培養(yǎng)國(guó)際化團(tuán)隊(duì)。大力推動(dòng)地方和企業(yè)自主創(chuàng)新，攻克集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)難題。