聯(lián)電 擬赴廈門蓋8寸廠

　　晶圓代工廠聯(lián)電為搶食中國半導體產(chǎn)業(yè)快速成長商機，計劃與廈門和當?shù)卣腺Y興建8寸晶圓廠，鎖定產(chǎn)能極缺的40到55納米制程技術。

　　聯(lián)電發(fā)言體系17日表示，日前董事會通過在3億美元(約新臺幣90億元)內(nèi)擬投資、參股或購買亞洲8寸或12寸晶圓廠后，公司經(jīng)營團隊積極評估參股或設廠，大陸的確有很多高科技園區(qū)積極向聯(lián)電招攬投資，但聯(lián)電的一切程序，均會遵循政府法令進行，目前沒有定案。

　　這將是聯(lián)電繼先前協(xié)助和艦到大陸設廠，2009年宣布100%合并和艦后，另一項赴大陸設立晶圓廠行動，也是2005年政府核準臺積電、茂德等赴大陸設立8寸晶圓廠后，臺灣晶圓廠再一次登陸投資。

　　據(jù)了解，聯(lián)電董事會通過評估增加新產(chǎn)能包括建立12寸晶圓廠，但聯(lián)電考慮12寸晶圓廠投資金額龐大，且提出申請后，政府要逐一審查，程序繁瑣，恐拖延量產(chǎn)進度，因此，初步可能排除12寸廠投資，而直接切入未來兩年產(chǎn)能極缺的8寸晶圓廠。

　　至于設廠地點，聯(lián)電表示很多地方都在爭取，但目前以廈門提出的合資條件最優(yōu)惠，研判落腳此地的可能性極高。

　　聯(lián)電昨天股價受到外資研判第4季因季節(jié)性因素和市場超額訂購(Over booking)影響，季營收可能下滑17%，外資、投信、自營商三大法人同步賣超，外資單日賣超更高達5.28萬張，創(chuàng)今年來單日最大賣超張數(shù)，三大法人賣超達5.77萬張，終場以最低價13.35元作收，下跌0.6元。