基于閃存的大容量存儲陣列
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由于NAND Flash特殊的基本結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行讀寫操作的時候，外部控制器不能通過普通總線的形式對其內(nèi)部某一位進(jìn)行操作，而是以頁為最小操作單位，在擦除操作時以塊為最小操作單位。
對NAND Flash芯片內(nèi)部的某一頁進(jìn)行操作時，要先將操作命令字和地址信息寫入，芯片才會根據(jù)操作命令字對給定地址的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的操作。芯片的主要操作命令字可以查閱芯片手冊。
K9KAG08UOM的頁編程寫入時序圖如圖2所示，其中寫周期tWC最小為25 ns；地址到數(shù)據(jù)加載的延遲時間tADL最小為75 ns；編程命令到編程開始的延遲時間tWH最大為100 ns；編程時間tPROG的典型值為200μs。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/149176.htm
設(shè)Flash芯片一頁的容量為4 224 Byte，按典型時間計算，完成一頁編程寫入所需時間約為
6×25 ns+75 ns+4 224×25 ns+100 ns+300μs=405．95μs
其中，編程命令和數(shù)據(jù)傳送的總時間為105．95 s，編程時間為300 s。單片K9KAG08UOM最高數(shù)據(jù)存儲速率為
4 224／405．95μs=10．405 B·μs-1=10．405 MB·s-1
上述時間是按照最高速度計算的，實際使用時單片存儲器的數(shù)據(jù)存儲速率會小于它。如果留有足夠的裕度，單片數(shù)據(jù)存儲速率按照5 MB·s-1考慮，則對于200MB·s-1的要求，需要40片存儲器并行工作，才能滿足實時存儲的要求。
2 FPGA芯片的選型
存儲器陣列控制單元利用高性能FPGA實現(xiàn)，它對器件速度的要求不高，主要是必須提供足夠的IO引腳，具體要求如下：(1)輸入LVDS通道數(shù)為16+2，其中接收8個，發(fā)送8個，高速時鐘2個通道。(2)輸入讀寫速度：>200 MHz。(3)輸出LVTTL電平的IO數(shù)為(80+24)x 4，其中數(shù)據(jù)80位，控制信號12位。(4)命令地址等其它低速信號線為14線。(5)輸出讀寫速度>20 MHz。(6)引腳需求數(shù)：(16+2)×2+104×4+4+10=466。
擬采用Xilinx公司的Virtex-4系列FPGA可以滿足設(shè)計要求，如XC4VLX80。其相關(guān)技術(shù)參數(shù)：(1)18 kBRAM模塊：200個，3 600 kB。(2)內(nèi)部存儲器讀寫速度>500 MHz。(3)LVDS通道數(shù)為384。(4)用戶可利用的IO引腳數(shù)為768。
3 FPGA控制邏輯設(shè)計
3．1 并行的NAND接口的設(shè)計
并行操作可以按照需要將多片閃存芯片的數(shù)據(jù)線結(jié)合起來共同使用，以此提高系統(tǒng)讀寫帶寬和讀寫效率。在并行系統(tǒng)中，引進(jìn)模塊化的思想，即將多片閃存芯片當(dāng)作一個模塊，把這個模塊作為整個系統(tǒng)最小的數(shù)據(jù)存儲單元，任何操作都是面向這些模塊來進(jìn)行。也就是說，多片閃存芯片作為一個整體，對外輸出8×n位的數(shù)據(jù)。同時，并行操作也大大提高了系統(tǒng)的操作速度。以下以寫4 kByte的數(shù)據(jù)進(jìn)入一個由5片閃存芯片組成的的模塊為例：當(dāng)只對一片閃存芯片操作時，典型的寫入時間為200μs。但當(dāng)閃存芯片模塊進(jìn)行操作時，由于是對模塊內(nèi)的5片芯片進(jìn)行同時寫入，因此系統(tǒng)的整體操作速度提高了4倍。
并行操作的實現(xiàn)依賴于并行的NAND接口的設(shè)計。板卡中采用的K9WBG08U1M的IO位寬為8 bit。由上節(jié)的分析可知，對于200 MB·s-1的要求，需要40片存儲器并行工作，才能滿足實時存儲的要求。板上共載有40片NAND，分為4組，每組10片存儲芯片，則單板容量為40×單片存儲容量4 GB。為滿足信號驅(qū)動特性的要求，每5片F(xiàn)lash存儲芯片由FPGA單獨驅(qū)動。
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