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          flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

          作者: 時(shí)間:2011-06-01 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          0引言

            我們?cè)谶M(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中,根據(jù)需求,要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng),而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分,并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的,嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)經(jīng)常需要在硬件和軟件設(shè)計(jì)之間進(jìn)行權(quán)衡與折中。因此,這就要求嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)者具有較深厚的硬件和軟件基礎(chǔ),并具有熟練應(yīng)用的能力。在整個(gè)設(shè)計(jì)過程中,硬件設(shè)計(jì)是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)和核心,而各功能部件在整個(gè)設(shè)計(jì)中的調(diào)試又是該環(huán)節(jié)的重點(diǎn)和難點(diǎn)。本文詳細(xì)介紹嵌入式系統(tǒng)Flash存儲(chǔ)器的的調(diào)試。

            1 Flash存儲(chǔ)器的引腳信號(hào)及各項(xiàng)特性

            1.1 Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)

            Flash存儲(chǔ)器是一種可在系統(tǒng)(In-System)中進(jìn)行電擦寫,掉電后信息不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器。它具有低功耗、大容量、擦寫速度快、可整片或分扇區(qū)在系統(tǒng)編程(燒寫)、擦除等特點(diǎn),并且可由內(nèi)部嵌入算法完成對(duì)芯片的操作,因而在各種嵌入式系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。作為一種非易失性存儲(chǔ)器,F(xiàn)lash在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼、常量表以及一些在系統(tǒng)掉電后需要保存的用戶數(shù)據(jù)等。常用的Flash為8位或16位數(shù)據(jù)寬度,編程電壓為單3.3V。主要有ATMEL、AMD、HYUNDAI等生產(chǎn)廠商,他們生產(chǎn)的同型器件一般具有相同的電氣特性和封裝形式,可通用。

            1.2以HY57V641620為例的SDRAM接口電路的基本特性

            本文以Flash存儲(chǔ)器HY29LV160為例,簡(jiǎn)要描述一下Flash存儲(chǔ)器的基本特性:

            HY29LV160的單片存儲(chǔ)容量為16M位(2M字節(jié)),工作電壓為2.7V~3.6V,采用48腳TSOP封裝或48腳FBGA封裝,16位數(shù)據(jù)寬度,可以以8位(字節(jié)模式)或16位(字模式)數(shù)據(jù)寬度的方式工作。

            HY29LV160僅需單3V電壓即可完成在系統(tǒng)的編程與擦除操作,通過對(duì)其內(nèi)部的命令寄存器寫入標(biāo)準(zhǔn)的命令序列,可對(duì)Flash進(jìn)行編程(燒寫)、整片擦除、按扇區(qū)擦除以及其它操作。

            HY29LV160的邏輯框圖、引腳分布及信號(hào)描述分別如圖1和表1所示:

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/150663.htm

          圖1 HY29LV160引腳分布(TSOP48封裝)

            表1 HY29LV160的引腳信號(hào)描述

          引 腳

          類型

          描 述

          A[19:0]

          I

          地址總線。在字節(jié)模式下,DQ[15]/A[-1]用作21位字節(jié)地址的最低位。

          DQ[15]/A[-1]

          DQ[14:0]

          I/O

          三態(tài)

          數(shù)據(jù)總線。在讀寫操作時(shí)提供8位或16位數(shù)據(jù)的寬度。在字節(jié)模式下,DQ[15]/A[-1]用作21位字節(jié)地址的最低位,而DQ[14:8]處于高阻狀態(tài)。

          BYTE#

          I

          模式選擇。低電平選擇字節(jié)模式,高電平選擇字模式

          CE#

          I

          片選信號(hào),低電平有效。在對(duì)HY29LV160進(jìn)行讀寫操作時(shí),該引腳必須為低電平,當(dāng)為高電平時(shí),芯片處于高阻旁路狀態(tài)

          OE#

          I

          輸出使能低電平有效輸出使能,低電平有效。在讀操作時(shí)有效,寫操作時(shí)無效。

          WE#

          I

          低電平有效寫使能,低電平有效。在對(duì)HY29LV160進(jìn)行編程和擦除操作時(shí),控制相應(yīng)的寫命令。

          RESET#

          I

          硬件復(fù)位,低電平有效。對(duì)HY29LV160進(jìn)行硬件復(fù)位。當(dāng)復(fù)位時(shí),HY29LV160立即終止正在進(jìn)行的操作。

          RY/BY#

          O

          用就緒/忙狀態(tài)指示。用于指示寫或擦除操作是否完成。當(dāng)HY29LV160正在進(jìn)行編程或擦除操作時(shí),該引腳位低電平,操作完成時(shí)為高電平,此時(shí)可讀取內(nèi)部的數(shù)據(jù)。

          VCC

          --

          3.3V電源

          VSS

          --

          接地

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