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2024二季度NAND Flash出貨增長放緩，AI SSD推動營收季增14%
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，由于Server（服務器）終端庫存調整接近尾聲，加上AI推動了大容量存儲產品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲，但因為PC和智能手機廠商庫存偏高，導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷售單價上漲了15%，總營收達167.96億美元，較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態(tài)，并計劃在第三季擴大產能，以滿足AI和服務器的強勁需求，但由于PC和智能手機今年上半年市場表現(xiàn)不佳，
- 關鍵字： TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash AI SSD
TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩，AI SSD 推動營收環(huán)比增長 14%
- IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報告指出，由于服務器終端庫存調整接近尾聲，加上 AI 推動了大容量存儲產品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高，導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷售單價上漲了 15%，總營收達 167.96 億美元（IT之家備注：當前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時積極回應客戶對
- 關鍵字： 內存 NAND Flash
第八代BiCS FLASH厲害在哪里？
- 第八代BiCS FLASH已然投入量產，意味著基于BiCS FLASH的產品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當下業(yè)界內最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構，實現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發(fā)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應用、數(shù)據(jù)中心、移動設備提供了更多潛在可能。技
- 關鍵字： BiCS FLASH 閃存 flash 鎧俠
1000層3D NAND Flash時代即將到來
- Lam Research 推出低溫蝕刻新技術，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
- 關鍵字： NAND Flash
鎧俠產能滿載 傳7月量產最先進NAND Flash產品
- 《科創(chuàng)板日報》4日訊，鎧俠產線稼動率據(jù)悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產最先進存儲芯片(NAND Flash)產品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)悉，鎧俠將開始量產的NAND Flash產品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲元件，和現(xiàn)行產品相比，存儲容量提高約50%，寫入數(shù)據(jù)時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
- 關鍵字： 鎧俠 NAND Flash
三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)
- 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數(shù)將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
- 關鍵字： 三星 NAND Flash
第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現(xiàn)貨價格就可看出，現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
- 關鍵字： DRAM NAND Flash TrendForce
累計上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對內存等漲價 至少上調20%
- 5月6日消息，供應鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價，三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務營收17.49萬億韓元，環(huán)比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業(yè)務營收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
- 關鍵字： SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
群聯(lián)3月營收年增73%，創(chuàng)歷史單月新高紀錄
- 近日，存儲廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營運結果，合并營收為新臺幣67.75億元，年成長達73%，刷新歷史單月營收新高紀錄。全年度營收累計至3月份達新臺幣165.26億元，年成長達64%，為歷史同期次高。群聯(lián)表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長達96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長率（Bit Growth Rate）也達80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場需求持續(xù)緩步回升趨勢不
- 關鍵字： 群聯(lián) SSD固態(tài)硬盤 NAND Flash
3D NAND，1000層競爭加速
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
- 關鍵字： NAND Flash 存儲芯片 鎧俠
第二季NAND Flash合約價季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高
- TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WDC）自今年第一季起提升產能利用率外，其它供應商大致維持低投產策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍持續(xù)受供應商庫存降低，以及減產效應影響，預估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來源，由于部分供應商已降低供應此類別產品，中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產需求開始擴大采用模組廠方案，助益中國模組廠技術進一步升級及
- 關鍵字： TrendForce NAND Flash Enterprise SSD
西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務拆分最新進展，新任CEO揭曉
- 月5日，西部數(shù)據(jù)宣布，在NAND Flash業(yè)務拆分后，將保留原名，專注經營核心HDD業(yè)務，并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時，將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱，現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運營執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運營?，F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執(zhí)行長。圖片來源：西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進展如何？據(jù)悉，自2021年以來，西部數(shù)據(jù)及
- 關鍵字： 閃存芯片 NAND Flash 西部數(shù)據(jù)
淺談因電遷移引發(fā)的半導體失效
- 前言半導體產品老化是一個自然現(xiàn)象，在電子應用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導體在經過一段時間連續(xù)工作之后，其功能會逐漸喪失，這被稱為功能失效。半導體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發(fā)的失效機理最為突出。技術型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現(xiàn)象進行了分析。?1、?背景從20世紀初期第一個電子管誕生以來，電子產品與人類的聯(lián)系越來越緊密，特別是進入21世紀以來，隨著集成電路的飛速發(fā)展，人們對電子產品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
- 關鍵字： 電遷移 半導體失效 世健 Microchip Flash FPGA
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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