flash接口電路的實(shí)現(xiàn)
加入技術(shù)交流群
2.S3C4510B系統(tǒng)管理器關(guān)于存儲(chǔ)器映射的工作原理
當(dāng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)制作完成時(shí)，必須經(jīng)過(guò)仔細(xì)的調(diào)試，才能保證系統(tǒng)按照設(shè)計(jì)意圖正常工作。盡管系統(tǒng)的調(diào)試與個(gè)人對(duì)電路工作原理的理解和實(shí)際的電路調(diào)試經(jīng)驗(yàn)有很大的關(guān)系，但一定的調(diào)試方法也是必不可少的。掌握正確的調(diào)試方法可使調(diào)試工作變得容易，大大縮短系統(tǒng)的開發(fā)時(shí)間，反之，可能會(huì)使整個(gè)系統(tǒng)的開發(fā)前功盡棄，以失敗告終。
在系統(tǒng)的兩類存儲(chǔ)器中，SDRAM相對(duì)于FLASH存儲(chǔ)器控制信號(hào)較多，似乎調(diào)試應(yīng)該困難一些，但由于SDRAM的所有刷新及控制信號(hào)均由S3C4510B片內(nèi)的專門部件控制，無(wú)需用戶干預(yù)，在S3C4510B正常工作的前提下，只要連線無(wú)誤，SDRAM就應(yīng)能正常工作，反之，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的編程、擦除操作均需要用戶編程控制，且程序還應(yīng)在SDRAM中運(yùn)行，因此，應(yīng)先調(diào)試好SDRAM存儲(chǔ)器系統(tǒng)，再進(jìn)行Flash存儲(chǔ)器系統(tǒng)的調(diào)試。
基于S3C4510B系統(tǒng)的最大可尋址空間為64MB，采用統(tǒng)一編址的方式，將系統(tǒng)的SDRAM、SRAM、ROM、Flash、外部I/O以及片內(nèi)的特殊功能寄存器和8K一體化SRAM均映射到該地址空間。為便于使用與管理，S3C4510B又將64MB的地址空間分為若干個(gè)組，分別由相應(yīng)的特殊功能寄存器進(jìn)行控制：
?。?） ROM/SRAM/Flash組0～ROM/SRAM/Flash組5，用于配置ROM、SRAM或Flash，分別由特殊功能寄存器ROMCON0～ROMCON5控制；
?。?）DRAM/SDRAM組0～DRAM/SDRAM組3用于配置DRAM或SDRAM，分別由特殊功能寄存器DRAMCON0～DRAMCON3控制；
?。?）外部I/O組0～外部I/O組3用于配置系統(tǒng)的其他外擴(kuò)接口器件，由特殊功能寄存器REFEXTCON控制；
?。?）特殊功能寄存器組用于配置S3C4510B片內(nèi)特殊功能寄存器的基地址以及片內(nèi)的8K一體化SRAM，由特殊功能寄存器SYSCFG控制；
在系統(tǒng)中，使用了Flash存儲(chǔ)器和SDRAM，分別配置在ROM/SRAM/FLASH組0和DRAM/SDRAM組0，暫未使用外擴(kuò)接口器件。
3基于S3C4510B的嵌入式系統(tǒng)Flash存儲(chǔ)器接口電路的調(diào)試
Flash存儲(chǔ)器的調(diào)試主要包括Flash存儲(chǔ)器的編程（燒寫）和擦除，與一般的存儲(chǔ)器件不同，用戶只需對(duì)Flash存儲(chǔ)器發(fā)出相應(yīng)的命令序列，F(xiàn)lash 存儲(chǔ)器通過(guò)內(nèi)部嵌入的算法即可完成對(duì)芯片的操作，由于不同廠商的Flash存儲(chǔ)器在操作命令上可能會(huì)有一些細(xì)微的差別，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的編程與擦除工具一般不具有通用性，這也是為什么Flash接口電路相對(duì)較難調(diào)試的原因之一，因此，應(yīng)在理解Flash存儲(chǔ)器編程和擦除的工作原理的情況下，根據(jù)不同型號(hào)器件對(duì)應(yīng)的命令集，編寫相應(yīng)的程序?qū)ζ溥M(jìn)行操作。
若使用SDT調(diào)試環(huán)境，調(diào)試過(guò)程與上述步驟相似。
>obey C:memmap.txt
打開AXD Debugger的命令行窗口，執(zhí)行obey命令：
此時(shí)，2MB的Flash存儲(chǔ)器映射到地址空間的0x0000,0000～0x001F,FFFF處，選擇菜單Processor Views→Memory選項(xiàng)，出現(xiàn)存儲(chǔ)器窗口，在存儲(chǔ)器起始地址欄輸入Flash存儲(chǔ)器的映射起始地址：0x0,數(shù)據(jù)區(qū)應(yīng)顯示Flash存儲(chǔ)器中的內(nèi)容，若Flash存儲(chǔ)器為空，所顯示的內(nèi)容應(yīng)全為0xFF,否則應(yīng)為已有的編程數(shù)據(jù)。雙擊其中的任一數(shù)據(jù)，輸入新的值，對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容應(yīng)不能被修改，此時(shí)可初步認(rèn)定Flash存儲(chǔ)器已能被訪問(wèn)，但是否能對(duì)其進(jìn)行正確的編程與擦除操作，還需要編程驗(yàn)證，通過(guò)程序?qū)lash存儲(chǔ)器進(jìn)行編程和擦除操作。
4結(jié)束語(yǔ)
這樣整個(gè)基于的嵌入式系統(tǒng)Flash存儲(chǔ)器接口電路的調(diào)試基本上完成了，當(dāng)然對(duì)于不同的系統(tǒng)，操作是略有不同的，我們可以根據(jù)所要開發(fā)或使用的嵌入式系統(tǒng)模式，進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，保證我們正確的使用Flash存儲(chǔ)器。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/150663.htm
DIY機(jī)械鍵盤相關(guān)社區(qū):機(jī)械鍵盤DIY
評(píng)論