聯(lián)電將跳過20nm 專攻FinFET

　　聯(lián)電將跳過20納米(nm)制程節(jié)點，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發(fā)所費不貲，加上市場需求仍不明朗，因此聯(lián) 電已計劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過20納米節(jié)點，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代，以與臺積電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。

　　聯(lián)電市場行銷處處長黃克勤表示，20納米制程帶來的效益將不 如從40納米演進(jìn)至28納米的水準(zhǔn)，且須導(dǎo)入雙重曝光(Double Patterning)方案，勢將增加一筆可觀花費，已使處理器業(yè)者的導(dǎo)入意愿開始動搖;再加上主要晶圓代工業(yè)者皆規(guī)畫在2015年推出16或14納米 FinFET制程，在多方權(quán)衡之下，聯(lián)電遂決定放緩20納米投資，專心克服14納米FinFET牽涉的材料摻雜、測試驗證和晶圓前后段混搭制程等技術(shù)挑 戰(zhàn)，以因應(yīng)即將到來的FinFET市場卡位戰(zhàn)。

　　據(jù)悉，28納米高介電系數(shù)金屬閘極(HKMG)系一具主導(dǎo)性、生命周期較長的制程方 案;相形之下，20納米可能成為非主流制程(Weak Node)，因晶片效能提升與投資成本效益不一定勝過直接導(dǎo)入14納米FinFET，僅有一線處理器大廠為維持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢才會計劃采用。

　　事實上，聯(lián)電在今年首季即公布其未來的制程演進(jìn)藍(lán)圖與主力推動技術(shù)，其中獨漏20納米規(guī)畫已現(xiàn)端倪。黃克勤指出，目前聯(lián)電已將火力對準(zhǔn)中國大陸應(yīng)用處理 器開發(fā)商，以及智慧電視(Smart TV)和機(jī)上盒(STB)晶片商導(dǎo)入28納米制程的龐大需求商機(jī)，積極拉攏新客戶，以刺激旗下28納米制程營收成長。

　　至于下一階段的發(fā)展策略，聯(lián)電亦已押寶14納米FinFET制程，將于2015年上市，與臺積電、格羅方德和三星等大廠展開廝殺。

　　黃克勤強(qiáng)調(diào)，英特爾(Intel)率先投入FinFET制程量產(chǎn)，大幅提高處理器效能并降低功耗，近來在行動裝置品牌市場已有不錯成績;一旦其市占持續(xù) 攀升，勢將影響高通(Qualcomm)與相關(guān)晶圓代工供應(yīng)鏈的投資計劃，并加速制程研發(fā)步調(diào)，以免技術(shù)差距持續(xù)被拉大。因應(yīng)此一趨勢，聯(lián)電遂傾向?qū)①Y源 集中在FinFET技術(shù)上，并跳過20納米制程發(fā)展以免節(jié)外生枝。