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          GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

          作者: 時間:2012-01-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/155338.htm

          工藝的設(shè)計考慮到性能、可靠性和可生產(chǎn)性之間的平衡。從成品率 損失Pareto 圖 Fig. 5 中可以看出發(fā)射區(qū)/基區(qū)短路是影響成品率的主要原因,基區(qū)電極柱損失是影響遠小于發(fā)射區(qū)/基區(qū)短路的第二個原因。影響成品率的其它失效模式的影響相對較小,都在測試不確定范圍內(nèi)。由500個組成的典型電路所達到的成品率已能夠滿足小規(guī)模儀器的應(yīng)用應(yīng)用。
          一種新的工藝對于Agilent復(fù)雜且規(guī)模較小的生產(chǎn)其晶片成品率大都如此。造成晶片成品率損失的原因主要有程序錯誤、晶片破裂、工藝和/或儀器問題。我們的經(jīng)驗顯示/InP雙結(jié)s并不存在異于其它化合物半導體的特有失效機制和更低的可生產(chǎn)性。



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