一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的GaAsSb雙異質結雙極晶體管集成電路DHBT技術
工藝的設計考慮到性能、可靠性和可生產性之間的平衡。從成品率 損失Pareto 圖 Fig. 5 中可以看出發(fā)射區(qū)/基區(qū)短路是影響成品率的主要原因,基區(qū)電極柱損失是影響遠小于發(fā)射區(qū)/基區(qū)短路的第二個原因。影響成品率的其它失效模式的影響相對較小,都在測試不確定范圍內。由500個晶體管組成的典型電路所達到的成品率已能夠滿足小規(guī)模儀器的應用應用。
一種新的工藝技術對于Agilent復雜且規(guī)模較小的生產其晶片成品率大都如此。造成晶片成品率損失的原因主要有程序錯誤、晶片破裂、工藝和/或儀器問題。我們的經驗顯示GaAsSb/InP雙異質結雙極晶體管DHBTs并不存在異于其它化合物半導體的特有失效機制和更低的可生產性。
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