相變存儲器的高可靠性多值存儲設計

由于監(jiān)測某一數(shù)據(jù)位是否出錯的過程不依賴其他數(shù)據(jù)位，因此該方法可以實現(xiàn)傳統(tǒng)方法難以實現(xiàn)的“全部數(shù)據(jù)位的錯誤監(jiān)測(all-error-detection ，AED) ”。 錯誤監(jiān)測通過外圍2 個如圖6 所示的S/A 及相關的比較電路實現(xiàn):一個S/A 使用各“禁區(qū)”的下限值(1/g ，1/e ，1/c ，1/a ，b ，d ，f ) 與阻值比進行比較：另個S/A 使用相應的上限值(1/f ，1/d ，1/c ，a ，c ，e ，g) 與阻值比進行比較。 當某一“禁區(qū)”的2 個邊界值(如a 和1/a) 與阻值比相比較的結果不同時，即說明此時的阻值比已落入該禁區(qū)( a 和1/a 對應禁區(qū)[1/a ，a ]) ，則可能的原狀態(tài)只可能為與該禁區(qū)緊鄰的2 狀態(tài)之一(禁區(qū)為[1/a ，a ] ，則可能的2 狀態(tài)為R2/R1 或R1/R2) 。 后繼ECC 電路再由此縮小的范圍繼續(xù)判斷，電路復雜度將大大簡化(具體電路這里略) 。 正常狀態(tài)的比較結果見表2。

表2 　帶有ECC電路時的輸出狀態(tài)的真值表