硅襯底LED芯片制造工藝分析
目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術,美國CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術。因此,研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產技術成為國際上的一個熱點。南昌大學與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔了國家863計劃項目“基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術”,經過近三年的研制開發(fā),目前已通過科技部項目驗收。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/167633.htm1.1 技術路線
在Si襯底上生長GaN,制作LED藍光芯片。
工藝流程:在Si襯底上生長AlN緩沖層→生長n型GaN→生長InGaN/GaN多量子阱發(fā)光層 →生長p型AIGaN層→生長p型GaN層→鍵合帶Ag反光層并形成p型歐姆接觸電極→剝離襯底并去除緩沖層→制作n型摻si層的歐姆接觸電極→合金→鈍化→劃片→測試→包裝。
采用Thomas Swan CCS低壓MOCVD系統(tǒng)在50 mm si(111)襯底上生長GaN基MQW結構。使用三甲基鎵(TMGa)為Ga源、三甲基鋁(TMAI)為Al源、三甲基銦(TMIn)為In源、氨氣 (NH3)為N源、硅烷(SiH4)和二茂鎂(CP2Mg)分別用作n型和p型摻雜劑。首先在Si(111)襯底上外延生長AlN緩沖層,然后依次生長n 型GaN層、InGaN/GaN多量子阱發(fā)光層、p型AlGaN層、p型GaN層,接著在p面制作Ag反射鏡并形成p型歐姆接觸,然后通過熱壓焊方法把外延層轉移到導電基板上,再用Si腐蝕液把Si襯底腐蝕去除并暴露n型GaN層,使用堿腐蝕液對n型面粗化后再形成n型歐姆接觸,這樣就完成了垂直結構 LED芯片的制作。結構圖見圖1。
從結構圖中看出,Si襯底芯片為倒裝薄膜結構,從下至上依次為背面Au電極、Si基板、粘接金屬、金屬反射鏡(p歐姆電極)、GaN外延層、粗化表面和Au電極。這種結構芯片電流垂直分布,襯底熱導率高,可靠性高;發(fā)光層背面為金屬反射鏡,表面有粗化結構,取光效率高。
1.3 關鍵技術及創(chuàng)新性
用Si作GaN發(fā)光二極管襯底,雖然使LED的制造成本大大降低,也解決了專利壟斷問題,然而與藍寶石和SiC相比,在Si襯底上生長GaN更為困難,因為這兩者之間的熱失配和晶格失配更大,Si與GaN的熱膨脹系數(shù)差別也將導致GaN膜出現(xiàn)龜裂,晶格常數(shù)差會在GaN外延層中造成高的位錯密度;另外Si襯底LED還可能因為Si與GaN之間有0.5 V的異質勢壘而使開啟電壓升高以及晶體完整性差造成p型摻雜效率低,導致串聯(lián)電阻增大,還有Si吸收可見光會降低LED的外量子效率。因此,針對上述問題,深入研究和采用了發(fā)光層位錯密度控制技術、化學剝離襯底轉移技術、高可靠性高反光特性的p型GaN歐姆電極制備技術及鍵合技術、高出光效率的外延材料表面粗化技術、襯底圖形化技術、優(yōu)化的垂直結構芯片設計技術,在大量的試驗和探索中,解決了許多技術難題,最終成功制備出尺寸1 mm×1 mm,350 mA下光輸出功率大于380 mW、發(fā)光波長451 nm、工作電壓3.2 V的藍色發(fā)光芯片,完成課題規(guī)定的指標。采用的關鍵技術及技術創(chuàng)新性有以下幾個方面。
(1)采用多種在線控制技術,降低了外延材料中的刃位錯和螺位錯,改善了Si與GaN兩者之間的熱失配和晶格失配,解決了GaN單晶膜的龜裂問題,獲得了厚度大于4 μm的無裂紋GaN外延膜。
(2)通過引入AIN,AlGaN多層緩沖層,大大緩解了Si襯底上外延GaN材料的應力,提高了晶體質量,從而提高了發(fā)光效率。
(3)通過優(yōu)化設計n-GaN層中Si濃度結構及量子阱/壘之間的界面生長條件,減小了芯片的反向漏電流并提高了芯片的抗靜電性能。
(4)通過調節(jié)p型層鎂濃度結構,降低了器件的工作電壓;通過優(yōu)化p型GaN的厚度,改善了芯片的取光效率。
(5)通過優(yōu)化外延層結構及摻雜分布,減小串聯(lián)電阻,降低工作電壓,減少熱產生率,提升了LED的工作效率并改善器件的可靠性。
(6)采用多層金屬結構,同時兼顧歐姆接觸、反光特性、粘接特性和可靠性,優(yōu)化焊接技術,解決了銀反射鏡與p-GaN粘附不牢且接觸電阻大的問題。
(7)優(yōu)選了多種焊接金屬,優(yōu)化焊接條件,成功獲得了GaN薄膜和導電Si基板之間的牢固結合,解決了該過程中產生的裂紋問題。
(8)通過濕法和干法相結合的表面粗化,減少了內部全反射和波導效應引起的光損失,提高LED的外量子效率,使器件獲得了較高的出光效率。
(9)解決了GaN表面粗化深度不夠且粗化不均勻的問題,解決了粗化表面清洗不干凈的難題并優(yōu)化了 N電極的金屬結構,在粗化的N極性n-GaN表面獲得了低阻且穩(wěn)定的歐姆接觸。
2 Si襯底LED封裝技術
2.1 技術路線
采用藍光LED激發(fā)YAG/硅酸鹽/氮氧化物多基色體系熒光粉,發(fā)射黃、綠、紅光,合成白光的技術路線。
工藝流程:在金屬支架/陶瓷支架上裝配藍光LED芯片(導電膠粘結工藝)→鍵合(金絲球焊工藝)→ 熒光膠涂覆(自動化圖形點膠/自動噴射工藝)→Si膠封裝(模具灌膠工藝)→切筋→測試→包裝。
2.2 主要封裝工藝
Si襯底的功率型GaN基LED封裝采用仿流明的支架封裝形式,其外形有朗柏型、矩形和雙翼型。其制作過程為:使用導熱系數(shù)較高的194合金金屬支架,先將LED芯片粘接在金屬支架的反光杯底部,再通過鍵合工藝將金屬引線連接LED芯片與金屬支架電極,完成電氣連接,最后用有機封裝材料(如Si膠)覆蓋芯片和電極引線,形成封裝保護和光學通道。這種封裝對于取光效率、散熱性能、加大工作電流密度的設計都是最佳的。其主要特點包括:熱阻低(小于10 ℃/W),可靠性高,封裝內部填充穩(wěn)定的柔性膠凝體,在-40~120℃范圍,不會因溫度驟變產生的內應力,使金絲與支架斷開,并防止有機封裝材料變黃,引線框架也不會因氧化而沾污;優(yōu)化的封裝結構設計使光學效率、外量子效率性能優(yōu)異,其結構見圖2。
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