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          高功率白光LED芯片的散熱問題

          作者: 時(shí)間:2012-03-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          就今天而言,仍舊存在著發(fā)光均一性不佳、封閉材料的壽命不長,而無法發(fā)揮被期待的應(yīng)用優(yōu)點(diǎn)。但就需求層面來看,不僅一般的照明用途,隨著手機(jī)、LCDTV、汽車、醫(yī)療等的廣泛應(yīng)用積極的出現(xiàn),使得最合適開發(fā)穩(wěn)定的技術(shù)研究成果也就相當(dāng)?shù)谋魂P(guān)心。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/168311.htm

          藉由提高晶片面積來增加發(fā)光量

          期望改善白光LED的發(fā)光效率,目前有兩大方向,就是提高LED晶片的面積,也就是說,將目前面積為1mO的小型晶片,將發(fā)光面積提高到10mO的以上,藉此增加發(fā)光量,或把幾個(gè)小型晶片一起封裝在同一個(gè)模組下。

          雖然,將LED晶片的面積予以大型化,藉此能夠獲得高多的亮度,但因過大的面積,在應(yīng)用過程和結(jié)果上也會(huì)出現(xiàn)適得其反的現(xiàn)象。所以,針對(duì)這樣的,部分LED業(yè)者就根據(jù)電極構(gòu)造的改良,和覆晶的構(gòu)造,在晶片表面進(jìn)行改良,來達(dá)到50lm/W的發(fā)光效率。

          例如在白光LED覆晶封裝的部分,由于發(fā)光層很接近封裝的附近,發(fā)光層的光向外部散出時(shí),因此電極不會(huì)被遮蔽的優(yōu)點(diǎn),但缺點(diǎn)就是所產(chǎn)生的熱不容易消散。

          而并非進(jìn)行晶片表面改善后,再加上增加晶片面積就絕對(duì)可以一口氣提N亮度,因?yàn)楫?dāng)光從晶片內(nèi)部向外散射時(shí),晶片中這些改善的部分無法進(jìn)行反射,所以在取光上會(huì)受到一點(diǎn)限制,根據(jù)計(jì)算,最佳發(fā)揮光效率的LED晶片尺寸是在7mO左右。

          利用封裝數(shù)個(gè)小面積LED晶片 快速提高發(fā)光效率

          和大面積LED晶片相比,利用小LED晶片封裝成同一個(gè)模組,這樣是能夠較快達(dá)到高亮度的要求,例如,Citizen就將8個(gè)小型LED封裝在一起,讓模組的發(fā)光效率達(dá)到了60lm/W,堪稱是業(yè)界的首例。

          但這樣的做法也引發(fā)的一些疑慮,因?yàn)槭菍⒍囝wLED封裝在同一個(gè)模組上,所以在模組中必須置入一些絕緣材料,以免造成LED晶片間的短路情況發(fā)生,不過,如此一來就會(huì)增加了不少的成本。

          對(duì)此Citizen的解釋是,事實(shí)上對(duì)于成本的影響幅度是相當(dāng)小的,因?yàn)橄噍^于整體的成本比例,這些絕緣材料僅不到百分之一,并因可以利用現(xiàn)有的材料來做絕緣應(yīng)用,這些絕緣材料不需要重新開發(fā),也不需要增加新的設(shè)備來因應(yīng)。

          雖然Citizen的解釋理論上是合理的,但是,對(duì)于較無經(jīng)驗(yàn)的業(yè)者來說,這就是一項(xiàng)挑戰(zhàn),因?yàn)闊o論在良率、研發(fā)、生產(chǎn)工程上都是需要予以克服的。

          當(dāng)然,還有其他方式可達(dá)到提高發(fā)光效率的目標(biāo),許多業(yè)者發(fā)現(xiàn),在LED藍(lán)寶石基板上制作出凹凸不平坦的結(jié)構(gòu),這樣或許可以提高光輸出量,所以,有逐漸朝向在晶片表面建立texture或PhotONics結(jié)晶的架構(gòu)。

          例如德國的OSRAM就是以這樣的架構(gòu)開發(fā)出「ThinGaN」高亮度LED,OSRAM是在InGaN層上形成金屬膜,之后再剝離藍(lán)寶石。這樣,金屬膜就會(huì)產(chǎn)生映射的效果而獲得更多的光線取出,而根據(jù)OSRAM的資料顯示,這樣的結(jié)構(gòu)可以獲得75%的光取出效率。

          逐漸有業(yè)者利用覆晶的構(gòu)造,來期望達(dá)到50lm/W的發(fā)光效率,由于發(fā)光層很接近封裝的附近,發(fā)光層的光向外部散出時(shí),因此電極不會(huì)被遮蔽。

          當(dāng)然,除了晶片的光取出方面需要做努力外,因?yàn)槠谕軌颢@得更高的光效率,在封裝的部分也是必須做一些改善。事實(shí)上,每多增加一道的工程都會(huì)對(duì)光取出效率帶來一些影響,不過,這并不代表著,因?yàn)榉庋b的制程就一定會(huì)增加更高的光損失,就像日本OMROM所開發(fā)的平面光源技術(shù),就能夠大幅度的提N光取出效率,這樣的結(jié)構(gòu)OMROM是將LED所射出的光線,利用LENS光學(xué)系統(tǒng)以及反射光學(xué)系統(tǒng)來做控制的,所以O(shè)MROM稱之為「Doublereflection 光學(xué)系統(tǒng)」。

          利用這樣的結(jié)構(gòu),可將傳統(tǒng)炮彈型封裝等的LED所造成的光損失,針對(duì)封裝的廣角度反射來獲得更高的光效率,更進(jìn)一步的是,在表面所形成的Mesh上進(jìn)行加工,而形成雙層的反射效果,這樣的方式,事實(shí)上是可以得到不錯(cuò)的光取出效率控制的。因?yàn)檫@樣的特殊設(shè)計(jì),這些利用反射效果達(dá)到高光取出效率的LED,主要的用途是針對(duì)LCDTV背光所應(yīng)用的。

          封裝材料和螢光材料的重要性增加

          但如果期望用來作為LCD TV背光應(yīng)用的話,那麼需要克服的就會(huì)更多了,因?yàn)長CD TV的連續(xù)使用時(shí)間都是長達(dá)數(shù)個(gè)小時(shí),甚至10幾個(gè)小時(shí),所以,由于這樣長時(shí)間的使用情況下,拿來作為背光的白光LED就必須擁有不會(huì)因?yàn)檫B續(xù)使用而產(chǎn)生亮度衰減的情況。

          目前已發(fā)表的高的白光LED,它的發(fā)光是一個(gè)低功率白光LED亮度的數(shù)十倍,所以期望利用高功率白光LED來代替螢光燈作為照明設(shè)備的話,有一個(gè)必須克服的困難就是亮度遞減的情況。

          例如,白光LED長時(shí)間連續(xù)使用1W的電力情況下,會(huì)造成連續(xù)使用后半段時(shí)間的亮度逐漸降低的現(xiàn)象,當(dāng)然,不是只有高功率白光LED才會(huì)出現(xiàn)這樣的情況,低功率白光LED也會(huì)存在這樣的,只不過是因?yàn)椋凸β拾坠庖驗(yàn)閼?yīng)用的產(chǎn)品不同,所以,并不會(huì)因此特別突顯出這樣的困擾。

          使用的電流愈大,當(dāng)然所獲得的亮度就愈高,這是一般對(duì)于LED能夠達(dá)到高亮度的觀念,不過,因?yàn)樗褂玫碾娏髟黾樱虼怂鶐淼娜秉c(diǎn)是,封裝材料是否能夠承受這樣的長時(shí)間的因?yàn)殡娏魉a(chǎn)生的熱,也因?yàn)檫@樣的連續(xù)使用,往往封裝材料的熱抵抗會(huì)降到10k/w以下。

          高功率LED的發(fā)熱量是低功率LED的數(shù)十倍,因此,會(huì)出現(xiàn)隨著溫度上升,而出現(xiàn)發(fā)光功率降低的問題,所以在能夠抗熱性高封裝材料的開發(fā)上,就相對(duì)顯的非常重要。

          或許在20~30lm/W以下的LED,這些問題都不存在,但是,一旦面臨60lm/w以上的高發(fā)光功率LED的時(shí)候,就不得不需要想辦法解決的,因?yàn)?,熱效?yīng)所帶來的影響,絕對(duì)不會(huì)僅僅只有LED本身,而是會(huì)對(duì)整體應(yīng)用產(chǎn)品帶來困擾,所以,LED如果能夠在這一方面獲得解決的話,那麼,也可以減輕應(yīng)用產(chǎn)品本身的負(fù)擔(dān)。


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          關(guān)鍵詞: 散熱 問題 芯片 LED 白光 功率

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