英飛凌智能卡芯片有三大創(chuàng)新

　　英飛凌在全球智能卡領(lǐng)域排名第一。 為此，“電子產(chǎn)品世界”探秘英飛凌在智能卡市場(chǎng)的最新技術(shù)趨勢(shì)。

　　趨勢(shì)一：存儲(chǔ)從ROM到EEPROM

　　問(wèn)：未來(lái)智能卡芯片在存儲(chǔ)技術(shù)方面的趨勢(shì)?

　　答：之前您可能聽(tīng)說(shuō)過(guò)ROM的產(chǎn)品，在各種應(yīng)用里都需要掩膜。但從整體技術(shù)趨勢(shì)看，會(huì)由ROM轉(zhuǎn)移到EEPROM來(lái)完成智能卡的應(yīng)用。為什么呢?首先是性能的提升和功耗的降低。對(duì)半導(dǎo)體業(yè)來(lái)講就是線寬。線寬從最早的0.22μm(220nm)下降到了0.13μm(130nm)，英飛凌現(xiàn)在推廣的主流產(chǎn)品是90nm。通常線寬越低，功耗越低，性能越好。因此線寬不斷降低是一個(gè)技術(shù)趨勢(shì)。

　　第二，跟原來(lái)硬的ROM的掩膜相比，未來(lái)基于EEPROM，英飛凌推出了安全凌捷掩膜。此項(xiàng)技術(shù)更具成本優(yōu)勢(shì)，也會(huì)成為未來(lái)的趨勢(shì)。

　　問(wèn)：當(dāng)從ROM變到EEPROM，自身安全性會(huì)有什么樣的變化?

　　答：其實(shí)在英飛凌所做的EEPROM的工藝?yán)锩妫绦蛳螺d后通過(guò)特定方式直接固化，可以達(dá)到和ROM一樣的安全等級(jí)，甚至提供一些額外的安全性能。為了證明這一點(diǎn)，最容易的方法就是拿到證書(shū)。英飛凌現(xiàn)在的EEPROM產(chǎn)品已經(jīng)獲得了CC EAL 6+(高)證書(shū)，市場(chǎng)上大部分的CC證書(shū)是4+或者5+。在高端分層的產(chǎn)品里會(huì)用到6+證書(shū)。

　　問(wèn)：為什么過(guò)去ROM與EEPROM的結(jié)合物比較多?

　　答：主要和成本有關(guān)。比如原先有的產(chǎn)品ROM在90k到120k范圍，EEPROM在4k到16k范圍。同樣的范圍，EEPROM占用芯片面積更大。在這種情況下，怎樣在控制成本和芯片面積的前提下，放入更多內(nèi)容?對(duì)整個(gè)行業(yè)來(lái)講，采取了一個(gè)折中的辦法。有些東西不變，如程序，這部分就放在ROM里面，因?yàn)樗加每臻g比較大而且不需要改動(dòng)。另一方面是在EEPROM里放用戶數(shù)據(jù)，如個(gè)人信息數(shù)據(jù)，不會(huì)太大，可能8k或16k。最終的妥協(xié)方案就是把兩個(gè)方案放在一起，不動(dòng)的放在ROM，要改變的放在EEPROM，這樣的組合會(huì)有成本優(yōu)勢(shì)。之前大家聽(tīng)到的ROM產(chǎn)品、硬掩膜產(chǎn)品都屬于這類產(chǎn)品。

　　問(wèn)：未來(lái)又會(huì)怎么樣?

　　答：無(wú)論是在0.22μm還是0.13μm工藝中，EEPROM的單元成本高于ROM，但是有個(gè)臨界點(diǎn)。在現(xiàn)在推出的90nm中，這兩者已經(jīng)差不多了。對(duì)于未來(lái)的65nm，EEPROM的成本肯定會(huì)低于ROM。這只是芯片成本的大概估算。但是ROM產(chǎn)品是有掩膜費(fèi)的，掩膜之后的版本可以用在產(chǎn)品里。而掩膜費(fèi)本身也是非常昂貴的。隨著線寬的下降，掩膜費(fèi)是成倍上升的。從這個(gè)角度來(lái)講，對(duì)用戶來(lái)說(shuō)，未來(lái)在90nm甚至是65nm仍然采用ROM產(chǎn)品，不僅有掩膜費(fèi)用，芯片的成本也會(huì)更加昂貴?，F(xiàn)在英飛凌提供的90nm的產(chǎn)品，EEPROM的價(jià)格比ROM更加便宜。我們也希望能夠推動(dòng)用戶盡快接受這樣的趨勢(shì)。

圖：ROM與EEPROM的比較