可調(diào)滯后的微處理器復位芯片

可調(diào)滯后的微處理器復位芯片

　　摘要：簡單的電路可調(diào)整，否則固定滯后(上升和下降之間的閾值電壓VCC上的差異)是管理著一個3針微處理器復位IC的工作。

　　基于微處理器的系統(tǒng)往往包括許多可用的3針微處理器復位芯片之一。這些設備監(jiān)控單電源軌，并提供了響應系統(tǒng)復位信號，欠壓條件。通常表現(xiàn)出這種芯片的固定滯后(上升和下降之間的閾值電壓VCC上的差異)，但一個簡單的電路(圖1)可讓您調(diào)整的電壓差。

　　圖1。在這個電路中，相對濕度和RP值讓你決定調(diào)整滯后復位時序。

　　如上所述1.0V的VIN的上升，低電平有效復位輸出低電平表明，輸入電壓低于閾值的監(jiān)測。電流從VIN通過反相內(nèi)部MOSFET驅(qū)動器，并通過RH至地面，制定一項全面濕度偏移電壓。由于內(nèi)部參考電壓是指接地，偏移電壓VCC的上升增加了門檻。在新崛起的閾值可以計算如下

　　當VIN上升越過這個門檻，仍然是它上面的復位超時，低有效復位去斷言和電流通過相對濕度下降，使VCC的門檻，轉(zhuǎn)回到正常水平。

　　考慮與3.08V閾值和10kΩ的上拉電阻器(RP)的一個微處理器復位IC(MAX6383XR31D1)。如果你想上升閾值的3.18V(100mV的滯后)，解決對RH(忽略電源電流和有限上MOSFET的輸出驅(qū)動電阻)，并獲得324.68Ω上述方程。在標準的1%的電阻值是324Ω最接近。

　　示波器照片(圖2)顯示電路的操作。測量的閾值3.1984V上升和下降的門檻是3.0891V，生產(chǎn)滯后109.3mV。該9.3mV差異(相對于在100mV的計算值)主要是由于MOSFET的導通電阻，電源進入設備電流，電阻公差。

　　圖2。從圖1電路顯示100mV的滯后，這些波形。也就是說，在這VCC的電壓之差(CH1)的相交的低電平復位(CH2)的上升沿和下降沿是100mV的。

　　請注意，相對濕度增加了有源低有效復位輸出音量(邏輯，低輸出電壓)的滯后電壓。在這種情況下，第一個措施的127mV最大。因此，你應該檢查，以確保連接到低電平復位可以容忍較高的音量的電路。