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          Multisim 10中的MCU模塊如何進行單片機協(xié)同仿真

          作者: 時間:2010-06-22 來源:網絡 收藏
                   

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/173300.htm

          編寫并編譯源程序  
          雙擊CosimProject下的main.asm輸入程序,程序清單及注釋如下:

          由于匯編器是Metalink assembler,詳細的宏命令等可以參考其用戶手冊。編寫好程序后,選擇菜單 8051 U1→Build,這里的下拉子菜單可能是“MCU 8051 U2”或“U3”,主要對應電路圖中的符號名稱,Build的結果會輸出到Spreadsheet View中。

          運行程序并用示波器觀察復位過程
           匯編程序編譯通過后,就可以回到電路圖窗口,點擊工具欄的運行按鈕,這時在七段數(shù)碼管上就應該循環(huán)顯示0到9,如果顯示過快或過慢,可以調整源程序中的COUNT_NUM,改變延時時間,或雙擊U1,在805x對話框的Value標簽里設置“時鐘速度”(Clock Speed)。
          電路中為SPICE模型的C1和R1的作用是延長復位引腳保持高電平的時間,避免因復位電壓持續(xù)時間過短而引起復位失敗。雙擊示波器XSC1,按示波器面板上的POWER鍵,打開示波器,點擊工具欄的運行按鈕,這時調整示波器的電壓和時間刻度,得到圖7所示的復位引腳電壓的變化,每個刻度是100μs,高電平持續(xù)了大概一個刻度,可見在加電時,沒有立刻運行,有一段延遲,延遲的時間應該足以使其內部電壓和振蕩都處于穩(wěn)態(tài)。按下復位鍵S1時的波形如圖8所示,這時每個刻度是50μs,波形平頂?shù)牟糠质前存I按下的時間,大概20μs,之后電壓逐漸降低,當降到約3V時,7段數(shù)碼管開始計數(shù),說明開始工作,由圖8可知復位時間被延長到大概100μs。

          其原理是加電瞬間或按鍵按下到松開之間,電容無電荷,兩端電壓為0V,單片機的RST引腳的電壓瞬間被提升到VCC(5V)。加電之后或按鍵松開,電容開始充電,兩端電壓逐漸增加,電阻的電壓(RST引腳電壓)由5V逐漸降低,因而延長了復位引腳保持高電平的時間。實際器件對復位持續(xù)時間的要求一般在兩個機器周期,所以100微秒的復位時間要求51單片機的晶振頻率不低于0.24MHz。當然一般情況下是根據晶振頻率確定C1和R1的值,這可以根據求解一階微分方程得到其充放電時間,或參考單片機的用戶手冊。

          調試程序
          選擇菜單MCU→MCU 8051 U1→Debug View,可以看到文本區(qū)上面有下拉菜單并有兩種選擇,對應反匯編(disassembly)和列表匯編(listing assembly),簡單的說,前者是由ROM的內容得到,后者是源文件編譯后的結果。雙擊“設計工具箱”的main.asm,在源文件編輯窗口右鍵單擊語句為“MOVC A,@A+DPTR”的一行,選擇“設置/清除斷點”(Toggle Breakpoint),在左側會出現(xiàn)一個實心圓,點擊“運行”,程序將停在該行,只不過是在“調試視圖”(Debug View)的列表匯編窗口下,同時在實心圓上多出了一個黃色箭頭。點擊MCU-> MCU 8051 U1->Memory View,打開MCU存儲器視圖,在該視圖可以查看特殊函數(shù)寄存器(SFR),內部RAM(IRAM),內部ROM(IROM),外部RAM(XRAM)。在SFR表格內觀察ACC的值,此時應該為“00”,在IRAM里觀察地址為21H的值,因為“MOV SP,#20H”語句將21H作為堆棧的第一個存儲字節(jié)的地址,斷點的前一處語句“PUSH ACC”使該字節(jié)存儲ACC的值,此時也為“00”。再點“運行”,程序第二次停在斷點處,觀察SFR中的ACC和IRAM中的21H,如圖9所示應,兩個單元格里的值都應為“01”,你還可以雙擊該單元格修改,該值也正是七段數(shù)碼管即將顯示的下一個數(shù)。點擊MCU菜單,可以看到除了設置斷點以外還可單步進入(Step into),遇到函數(shù)時進入函數(shù)內部;跳過(Step over),即不進入函數(shù);跳出(Step out),即跳出函數(shù)到調用函數(shù)的下一條語句?!   ?br />
          圖9 MCU存儲器視圖

          結束語
           本文以一個簡單的電路介紹了在NI SPICE模型(這里主要指C1和R1)和8051 MCU的。NI 10不但有多種編譯和調試功能,還提供了RAM,ROM,鍵盤,液晶屏等外設,是初學單片機的理想工具。掌握了基本的硬件結構,匯編指令和調試方法后,讀者可以利用開發(fā)更復雜的系統(tǒng)并,為下一步設計實際的硬件電路做準備。
          說明:因為單片機的電流是有限制的,不能太大,否則會燒毀單片機的。所以應在數(shù)碼管的CA端和VCC端之間接一個限流電阻(100歐姆);或者在單片機與數(shù)碼管之間接入一個排阻(7個)也可以,這樣時就不會燒毀單片機了。


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