利用Multisim10中的MCU模塊進行單片機協(xié)同仿真

　　運行程序并用示波器觀察復(fù)位過程

　　匯編程序編譯通過后，就可以回到電路圖窗口，點擊工具欄的運行按鈕，這時在七段數(shù)碼管上就應(yīng)該循環(huán)顯示0到9，如果顯示過快或過慢，可以調(diào)整源程序中的COUNT_NUM，改變延時時間，或雙擊U1，在805x對話框的Value標簽里設(shè)置“時鐘速度”（ClockSpeed）。

　　電路中為SPICE模型的C1和R1的作用是延長復(fù)位引腳保持高電平的時間，避免因復(fù)位電壓持續(xù)時間過短而引起復(fù)位失敗。雙擊示波器XSC1，按示波器面板上的Power鍵，打開示波器，點擊工具欄的運行按鈕，這時調(diào)整示波器的電壓和時間刻度，得到圖7所示的復(fù)位引腳電壓的變化，每個刻度是100μs，高電平持續(xù)了大概一個刻度，可見在加電時，單片機沒有立刻運行，有一段延遲，延遲的時間應(yīng)該足以使其內(nèi)部電壓和振蕩都處于穩(wěn)態(tài)。按下復(fù)位鍵S1時的波形如圖8所示，這時每個刻度是50μs，波形平頂?shù)牟糠质前存I按下的時間，大概20μs，之后電壓逐漸降低，當(dāng)降到約3V時，7段數(shù)碼管開始計數(shù)，說明單片機開始工作，由圖8可知復(fù)位時間被延長到大概100μs。

　　其原理是加電瞬間或按鍵按下到松開之間，電容無電荷，兩端電壓為0V，單片機的RST引腳的電壓瞬間被提升到VCC(5V)。加電之后或按鍵松開，電容開始充電，兩端電壓逐漸增加，電阻的電壓（RST引腳電壓）由5V逐漸降低，因而延長了復(fù)位引腳保持高電平的時間。實際器件對復(fù)位持續(xù)時間的要求一般在兩個機器周期，所以100微秒的復(fù)位時間要求51單片機的晶振頻率不低于0.24MHz。當(dāng)然一般情況下是根據(jù)晶振頻率確定C1和R1的值，這可以根據(jù)求解一階微分方程得到其充放電時間，或參考單片機的用戶手冊。

　　調(diào)試程序

　　選擇菜單MCU→MCU8051U1→DebugView，可以看到文本區(qū)上面有下拉菜單并有兩種選擇，對應(yīng)反匯編（disassembly）和列表匯編（listingassembly），簡單的說，前者是由ROM的內(nèi)容得到，后者是源文件編譯后的結(jié)果。雙擊“設(shè)計工具箱”的main.asm，在源文件編輯窗口右鍵單擊語句為“MOVCA,@A+DPTR”的一行，選擇“設(shè)置/清除斷點”（ToggleBreakpoint）,在左側(cè)會出現(xiàn)一個實心圓，點擊“運行”，程序?qū)⑼Ｔ谠撔校徊贿^是在“調(diào)試視圖”（DebugView）的列表匯編窗口下，同時在實心圓上多出了一個黃色箭頭。點擊MCU->MCU8051U1->MemoryView，打開MCU存儲器視圖，在該視圖可以查看特殊函數(shù)寄存器（SFR），內(nèi)部RAM(IRAM)，內(nèi)部ROM（IROM），外部RAM（XRAM）。在SFR表格內(nèi)觀察ACC的值，此時應(yīng)該為“00”，在IRAM里觀察地址為21H的值，因為“MOVSP,#20H”語句將21H作為堆棧的第一個存儲字節(jié)的地址，斷點的前一處語句“PUSHACC”使該字節(jié)存儲ACC的值，此時也為“00”。再點“運行”，程序第二次停在斷點處，觀察SFR中的ACC和IRAM中的21H，如圖9所示應(yīng)，兩個單元格里的值都應(yīng)為“01”，你還可以雙擊該單元格進行修改，該值也正是七段數(shù)碼管即將顯示的下一個數(shù)。點擊MCU菜單，可以看到除了設(shè)置斷點以外還可單步進入（Stepinto），遇到函數(shù)時進入函數(shù)內(nèi)部；跳過（Stepover），即不進入函數(shù)；跳出（Stepout），即跳出函數(shù)到調(diào)用函數(shù)的下一條語句。

圖9MCU存儲器視圖