羅姆開發(fā)出高溫環(huán)境下無熱失控超低IR肖特基勢壘二極管
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＜術語解說＞
肖特基勢壘二極管（Schottky-Barrier Diode：SBD）
使金屬和半導體接觸從而形成肖特基結，利用其可得到整流性（二極管特性）的二極管。具有“正向壓降少、開關速度快”的特點。主要用于開關電源等。
快速恢復二極管（Fast Recovery Diode： FRD）
正向施加的電壓向反向切換時，反向電流瞬間流過。這種電流到零之間的時間D即反向恢復時間快的一種二極管。
VF ( Forward Voltage)
是指正向電流經過時二極管產生的電壓值。數(shù)值越小功耗越少。
IR（Reverse Current）
是指施加反向電壓時發(fā)生的反向電流。數(shù)值越小功耗越少。
熱失控
反向損耗超過散熱，損耗進一步增加，產品溫度呈指數(shù)級上升的狀態(tài)。
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