便攜設(shè)備DDR2-3內(nèi)存電源解決方案
在筆記本電腦和PDA便攜系統(tǒng)中,為達(dá)到JEDEC(電子器件工程設(shè)計聯(lián)合會)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范(JESD79E),對DDR2-3內(nèi)存在靜態(tài)穩(wěn)壓和動態(tài)響應(yīng)方面提出了嚴(yán)格的要求。DDR2-3基本上需要三條電源軌:一個給內(nèi)核供電的主電源(VDDQ)、一個給輸入級供電的參考電壓(VTTREF)和一個給非數(shù)據(jù)線路供電的終結(jié)電壓(VTT)。JEDEC聯(lián)合會要求在寬負(fù)載范圍內(nèi),主電源電壓必須有很高的調(diào)整精度,VTTREF必須保持在VDDQ的二分之一,然后,VTT必須保持在參考輸出電壓值,并具有源出和灌入電流功能。此外,根據(jù)先進(jìn)配置和電源接口標(biāo)準(zhǔn)(ACPI),所有輸出必須支持“掛起到內(nèi)存”和“掛起到硬盤”兩種系統(tǒng)睡眠狀態(tài)。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/176967.htm
圖1示出了一個雙DDR2 SODIMM配置的供電電路。提供VDDQ電壓的控制器采用恒定導(dǎo)通時間架構(gòu),幾乎可以使開關(guān)頻率保持恒定,可以實現(xiàn)快速負(fù)載瞬變電壓響應(yīng),低功耗工作模式有助于開關(guān)能效在DDR內(nèi)存的全程負(fù)載范圍內(nèi)最大化。給非數(shù)據(jù)線路供電的VTT由內(nèi)置LDO線性穩(wěn)壓器提供,同時,低噪緩沖器給內(nèi)存提供VTTREF。控制器的開關(guān)頻率很高,可以最大限度減少外部電源配套組件(電感器和輸出電容),再加上極小的封裝和先進(jìn)的功能(可選輸出放電模式、無功耗電流檢測)以及基本保護(hù)功能(過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)和熱關(guān)機(jī))。
便攜設(shè)備要求延長電池使用時間,提高系統(tǒng)性能,同時還要求降低產(chǎn)品的成本、尺寸和重量。為滿足這些需求,意法半導(dǎo)體開發(fā)了PM6670,這是一款采用高性能的BCD5(第五代BiCMOS-DMOS)制造工藝設(shè)計的先進(jìn)架構(gòu)的半導(dǎo)體器件,采用4x4-24 引腳的VFQFPN封裝,能夠滿足DDR2-3內(nèi)存的電源需求,同時,該器件還內(nèi)置同步降壓控制器、15mA的緩沖參考二極管和強(qiáng)流LDO線性穩(wěn)壓器,其中穩(wěn)壓器的源出和灌入峰流高達(dá)2A。
PM6670的開關(guān)部分是一個高性能的偽固定頻率,恒定導(dǎo)通時間控制器是為在寬輸入電壓范圍內(nèi)處理快速負(fù)載瞬變專門設(shè)計的。開關(guān)頻率范圍200kHz ~ 500kHz,根據(jù)不同應(yīng)用需求,可以處理不同的工作模式,最大限度降低噪聲或功耗:強(qiáng)制PWM模式實現(xiàn)偽固定開關(guān)頻率;脈沖跳躍模式通過跳過某些開關(guān)周期在輕負(fù)載條件下實現(xiàn)高能效;靜噪跳躍模式將開關(guān)頻率限制在人耳聽音范圍外。
PM6670開關(guān)控制器采用一個谷值電流檢測算法,能夠恰當(dāng)?shù)靥幚硐蘖鞅Wo(hù)和電感電流零交越信息。這個無功耗的電流檢測方法是在下橋臂MOSFET導(dǎo)通期間檢測電流。 VTTREF部分的輸出電壓是VDDQ電壓值的二分之一,電壓調(diào)整精度1%。這個穩(wěn)壓器的源出和灌入電流最高為±15mA。在全部工作條件下,線性穩(wěn)壓器的輸出電壓(VTT)等于內(nèi)存的參考電壓VTTREF。為降低總體功耗,LDO的輸入電壓可以是VDDQ或更低的電壓軌。與輸出端的多層陶瓷電容(MLCC)配合,線性穩(wěn)壓器的輸出電壓十分穩(wěn)定。PM6670的三個主要功能(輸出波紋補(bǔ)償、靜噪跳躍模式和輸出放電選項)。
評論