MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計

　　圖 2

　　事實上，低邊MOSFET的導(dǎo)通電阻是器件的關(guān)鍵特性。即使封裝尺寸變小了，還是有可能在最高4.5V電壓下把RDS（on） 降到5mΩ以下。這有助于提高在最大負載條件下的效率，還能讓器件工作起來的溫度更低，即便尺寸很小。。

　　這種器件的另一個好處是布線。從圖2中可以看到，封裝的引腳使其能很容易地集成進降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計方案中。更特殊之處在于，器件的輸入是在一側(cè)，輸出在另一側(cè)。引腳2和3與DC-DC電路的VIN相對應(yīng)，是高邊MOSFET的漏極。小焊盤也是高邊元器件的漏極焊盤。較大的焊盤是電路的開關(guān)節(jié)點的焊盤更大，在這個地方，高邊MOSFET的源極合低邊MOSFET的漏極在內(nèi)部連到器件上。這個節(jié)點會連到電感器。最后，接地是引腳4和5，是低邊MOSFET的源極。引腳1和6 分別連到高邊和低邊MOSFET的柵極。這種布線很簡單，而且減少了用兩個器件時發(fā)生布線錯誤的幾率。把多個器件組合在一起時需要額外的PCB走線，這種布線還能減少與此種PCB走線相關(guān)的寄生電感：

　　改用較小外形尺寸雙芯片功率封裝的最后一個好處是能夠?qū)崿F(xiàn)的效率可以幫助提高功率密度。器件安裝在單相降壓轉(zhuǎn)換器評估板上，條件如下。

　　VIN = 12 V， VOUT = 1.05 V， VDRIVE = 5.0V， fsw = 300 kHz， IOUT max. = 15 A

　　效率是在整個功率范圍內(nèi)測量的。在15A電流下，效率是87%，器件的外殼溫度恰好低于70 °C。峰值效率高于91.5 %。這樣的性能有助于在醫(yī)療系統(tǒng)中減少功率損耗，節(jié)約能量，而且還能實現(xiàn)小外形尺寸的設(shè)計。

　　圖 3

　　采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對稱功率封裝是MOSFET封裝技術(shù)上的重大進步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡化設(shè)計，同時實現(xiàn)現(xiàn)在的消費電子產(chǎn)品所要求的高效率或性能。