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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
3 系統(tǒng)整體設(shè)計(jì)方案
該方案核心部分采用全硬件電路設(shè)計(jì)，其結(jié)構(gòu)框圖見(jiàn)圖2?？刂撇糠植捎肏T1112正弦波逆變控制芯片為控制核心，4路輸出SHE-PWM調(diào)制波，通過(guò)IR2110隔離驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)主功率全橋IGBT逆變電路。采用閉環(huán)穩(wěn)壓控制方式，通過(guò)檢測(cè)輸出反饋電壓大小，調(diào)整脈沖寬度，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓輸出，并輔以超溫、過(guò)流等保護(hù)電路，提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性。功率電路部分采用三相全橋整流、全橋逆變電路實(shí)現(xiàn)AC／DC／AC變換。實(shí)現(xiàn)了115 V／400 Hz航空電到110 V／60 Hz交流電的穩(wěn)壓變換。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/177603.htm
4 各模塊電路設(shè)計(jì)
4．1 控制驅(qū)動(dòng)模塊
HT1112芯片產(chǎn)生的4路調(diào)制波經(jīng)過(guò)2片IR2110隔離放大輸出，并對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行保護(hù)控制。PWM波發(fā)生芯片采用基于SHE-PWM技術(shù)的HT1112芯片，旨在實(shí)現(xiàn)一種能滿足穩(wěn)壓輸出且諧波成分較少的集成電源。HT1112芯片通過(guò)檢測(cè)分壓后的反饋交流電壓，調(diào)整輸出交流電壓的幅值
與直流母線電壓之比，達(dá)到穩(wěn)壓輸出，其開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)15．12 kHz。
隔離驅(qū)動(dòng)芯片IR2110無(wú)需隔離電源。采用2片IR2110通過(guò)自舉法可實(shí)現(xiàn)IGBT橋路的四臂驅(qū)動(dòng)，這對(duì)于減小系統(tǒng)整體體積，降低成本起到重要作用。因此，自舉電容的選取較為關(guān)鍵。若電容選擇過(guò)大，則可能使下橋臂關(guān)斷時(shí)電容兩端電壓不能達(dá)到上橋臂要求；若電容選擇較小，則會(huì)導(dǎo)致電容存儲(chǔ)的電能不夠維持內(nèi)部MOSFET管柵源極兩端電壓。電容所需提高的最小電量為：
式中：Uf為二極管上下壓降；Uls為下半橋電路壓降；Umin為Ub和Us之間最小電壓。
一般情況下，為保證自舉電容能夠?qū)㈤T極和發(fā)射極間的電壓穩(wěn)定維持一段時(shí)間，選取電容約為其最小值的15倍。在此設(shè)計(jì)選取10μF電解電容再并聯(lián)一個(gè)104瓷片電容，效果較好。
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