電源設計小貼士 41：DDR 內存電源
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CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內各柵極的輸入電容以及電源電壓有關。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度，允許系統(tǒng)時鐘頻率升高至千兆赫茲級別。在這些高時鐘頻率下，阻抗控制、正確的總線終止和最小交叉耦合，帶來高保真度的時鐘信號。傳統(tǒng)上，邏輯系統(tǒng)僅對一個時鐘沿的數據計時，而雙倍數據速率 (DDR) 內存同時對時鐘的前沿和下降沿計時。它使數據通過速度翻了一倍，且系統(tǒng)功耗增加極少。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/178232.htm高數據速率要求時鐘分配網絡設計要倍加小心，以此來最小化振鈴和反射效應，否則可能會導致對邏輯器件非有意計時。圖 1 顯示了兩種備選總線終止方案。第一種方案（A）中，總線終止電阻器放置于分配網絡的末端，并連接至接地。如果總線驅動器處于低態(tài)下，電阻器的功耗便為零。在高態(tài)下時，電阻器功耗等于電源電壓（VDD）平方除以總線電阻（源阻抗加端接電阻）。平均功耗為電源電壓平方除以兩倍總線電阻。
圖 1 VTT 端接電壓降低一半端接功耗
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