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          一種高電源抑制的基準源的設(shè)計

          作者: 時間:2011-08-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          2 仿真與分析
          本次的仿真基于ASMC的1 μm的高壓BCD工藝。
          2.1 啟動仿真
          圖4是工藝角為tt,t=27℃時的啟動仿真,此需要3 μs就可建立正常狀態(tài),這是由于核心中的Cc1選取為比較小的2 pF的結(jié)果,這樣做的另一個結(jié)果就是中頻PSR有所降低,實際電路可根據(jù)需要選取Cc1的大小,如果需要中頻PSR較大,但對啟動時間要求較低時,可以選取大Cc1(如Cc1選取10pF,則最高PSR將降為-28dB,但啟動時間升至10μs)。LDO、ref、bg的啟動過程比較平穩(wěn),沒有過沖現(xiàn)象。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/178795.htm

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          MBC控制作用的簡述:在1μs時流過100μA的啟動電流,當LDO、ref、bg建立最低工作電壓后,啟動電路開始關(guān)斷過程,電流急劇減小,并最終在2μs時接近0A。整個電路正常運行時消耗的電流是266μA。
          2.2 溫漂仿真
          圖5為不同工藝角下的溫漂仿真。仿真結(jié)果表明,此電路可以達到ref-45 ppm、bg-7.5 ppm的低溫漂。實際電路存在器件的不匹配和誤差等,雖然達不到理論上的溫漂,但通過仔細布版、修調(diào)帶隙核心電路中Rc1、Rc2,可以達到較低的溫漂。

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