一種高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計
2.3 PSR的仿真
圖6為工藝角tt,vcc=8.5V,t=27℃時的PSR的仿真,此基準(zhǔn)對電源干擾的抑制能力較強,4.75V輸出電壓在工作頻率60 k左右時的PSR達(dá)到了-75.1 dB,能有效抑制由半橋產(chǎn)生的震蕩;而且對來自數(shù)字部分的高頻震蕩也有較強的抑制能力。
表1為輸出電壓bg在不同工藝角下的PSR的仿真結(jié)果,本電路在不同工藝角下都能在高電源干擾的芯片中正常工作。
3 結(jié)論
本文通過結(jié)合LDO與Brokaw基準(zhǔn)核心,設(shè)計出了高PSR的帶隙基準(zhǔn),此帶隙基準(zhǔn)輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB,最高PSR為-36 dB,溫漂可以達(dá)到7.5 ppm,適用于電子鎮(zhèn)流器芯片。本設(shè)計還優(yōu)化了啟動部分,使新的帶隙基準(zhǔn)可以在短時間內(nèi)順利啟動。此電路根據(jù)需要還可以修改基準(zhǔn)核心中的Rc3、Rc4,采用多段電阻分壓方式,以輸出多種參考電壓,方便靈活定制芯片。
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