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          一種高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計

          作者: 時間:2011-08-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


          2.3 PSR的仿真
          圖6為工藝角tt,vcc=8.5V,t=27℃時的PSR的仿真,此干擾的能力較強,4.75V輸出電壓在工作頻率60 k左右時的PSR達(dá)到了-75.1 dB,能有效由半橋產(chǎn)生的震蕩;而且對來自數(shù)字部分的高頻震蕩也有較強的能力。

          j.jpg


          表1為輸出電壓bg在不同工藝角下的PSR的仿真結(jié)果,本電路在不同工藝角下都能在高干擾的芯片中正常工作。

          k.jpg



          3 結(jié)論
          本文通過結(jié)合LDO與Brokaw核心,出了高PSR的帶隙,此帶隙基準(zhǔn)輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB,最高PSR為-36 dB,溫漂可以達(dá)到7.5 ppm,適用于電子鎮(zhèn)流器芯片。本還優(yōu)化了啟動部分,使新的帶隙基準(zhǔn)可以在短時間內(nèi)順利啟動。此電路根據(jù)需要還可以修改基準(zhǔn)核心中的Rc3、Rc4,采用多段電阻分壓方式,以輸出多種參考電壓,方便靈活定制芯片。

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