集成PMOS管變?nèi)萏匦苑治雠c仿真建模
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1．2 PMOS的變?nèi)莨苓B接及其壓控特性分析
圖2為PMOS管連接成壓控可變電容的示意圖。具體是將漏、源和襯底短接作為電容的一極接高電平，柵極作為另一極接低電平。這種連接與MIS電容結構有著類似的機理，所以，電容值隨襯底與柵極之間的電壓VBG變化。
對于PMOS變?nèi)莨?，在襯柵電壓VBG的作用下，變?nèi)莨艿碾娙菘梢钥醋鳀叛趸瘜与娙菖c半導體空間電荷區(qū)電容的串聯(lián)，即：
因為反型載流子溝道在VBG超過閾值電壓時建立，所以，當VBG遠遠超越閾值電壓時，變?nèi)莨芄ぷ髟趶姺葱蛥^(qū)域；在柵電位VG大于襯底電位VB時，變?nèi)莨苓M入積累區(qū)，此時柵氧化層與半導體之間的界面電壓為正且足夠高使得電子可以自由移動。這樣，在反型區(qū)和積累區(qū)的變?nèi)莨艿碾娙葜担?br />
閾值反型點是當達到最大耗盡寬度且反型層電荷密度為零時得到的最小電容：
平帶是發(fā)生在堆積和耗盡模式間，電容為：
式(1)～式(4)中牽扯到的各參量的意義分別為：
為耗盡層的厚度，εs是半導體的介電常數(shù)、φs稱為表面勢；Na為受主原子的濃度；e為基本電荷的電量；
為反型轉(zhuǎn)折點的空間電荷區(qū)最大寬度，φf=Vtln(Na／ni)為雜質(zhì)半導體襯底的相對費米勢，Vt= kT／e為熱電壓，ni為本征載流子濃度，k為玻爾茲曼常數(shù)，T為絕對溫度；εox為氧化層的介電常數(shù)；tox為氧化層厚度。由于處于耗盡區(qū)、弱反型區(qū)和中反型區(qū)3個區(qū)域中的PMOS只有很少的移動載流子，這使得PMOS電容Cv減小(比Cox小)。此時，Cv可以看成由氧化層電容Cox和半導體表面空間電荷層電容(由Cb與Ci的并聯(lián)電容值，Cb表示耗盡區(qū)域電容，而Ci與柵氧化層界面的空穴數(shù)量變化相關)串聯(lián)構成，如式(1)所示。從反型載流子溝道建立開始到強反型區(qū)又可細分為3個工作區(qū)域：弱反型區(qū)、中反型區(qū)和強反型區(qū)。如果Cb(Ci)占主
導地位，則MOS器件工作在中反型(耗盡)區(qū)；如果2個電容都不占主導地位，MOS器件工作在弱反型區(qū)。
進入強反型區(qū)后分為高頻和低頻兩種測試情形，高頻條件下少數(shù)載流子的產(chǎn)生與復合均跟不上信號的變化，于是Cv不隨偏壓的變化；而低頻(準靜態(tài))下它能隨偏壓而變化。理論上，常常在各區(qū)段抓住影響MOS管電容Cv的主要因素進行研究，但各個次要因素與主要因素相互作用，構成連續(xù)的變?nèi)?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/特性">特性曲線如圖3所示?？梢姡琍MOS管電容器的變?nèi)?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/特性">特性理論曲線與一般MIS結構電容的特性變化趨勢相似。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/178822.htm
2 PMOS建模與仿真
2．1 PMOS建模
用HSpice和Candence Spectre進行晶體管級電路模擬仿真時，軟件根據(jù)晶體管靜態(tài)條件下所建模型對PMOS變?nèi)莨軠熟o態(tài)特性的獲取較為方便，但對其高頻特性顯得無能為力。以下將基于PMOS變?nèi)莨軠熟o態(tài)特性的基本參數(shù)，采用特性曲線擬合的辦法，對PMOS變?nèi)莨芨哳l(即動態(tài))特性進行建模。
由圖3可見，Cv隨VBG變化的高頻特性曲線類似于雙曲正切函數(shù)曲線，選取曲線的關鍵點(-∞，Cox)、(VT，Cmin’)并引入電容變化指數(shù)γ(類似于變?nèi)荻O管的結電容變化指數(shù))與此特性曲線進行擬合，得PMOS管高頻變?nèi)軻BG～CV特性的模型函數(shù)：
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