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          高頻條件下IGBT驅(qū)動電路的設計與仿真

          作者: 時間:2011-04-11 來源:網(wǎng)絡 收藏

          摘要:文中對大功率(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)特性、要求進行了分析和討論,介紹了一種下實用的,并通過理論分析和波形說明了該的有效性和適用性。
          關(guān)鍵字:;絕緣門極雙極型晶體管;驅(qū)動;

          0 引言
          絕緣門極雙極型晶體管是復合了功率場效應管和電力晶體管的優(yōu)點而產(chǎn)生的一種新型復合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、飽和壓降低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點,因此現(xiàn)今應用相當廣泛。但是IGBT良好特性的發(fā)揮往往因其柵極驅(qū)動電路上的不合理,制約著IGBT的推廣及應用。本文分析了IGBT對其柵極驅(qū)動電路的要求,了一種適用于下小功率電路可靠穩(wěn)定的分立式IGBT驅(qū)動電路。

          1 IGBT驅(qū)動電路的基本要求
          IGBT的驅(qū)動電路是IGBT與控制電路之間的接口,實現(xiàn)對控制信號的隔離、放大和保護,驅(qū)動電路對IGBT的正常工作及其保護起著非常重要的作用,門極電路的正偏壓uGS,負偏壓-uGS和門極電阻Rc的大小,對IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)、開關(guān)損耗、承受短路能力參數(shù)有不同的程度的影響,因此驅(qū)動電路對IGBT的動態(tài)和靜態(tài)性能都有重要影響,對驅(qū)動電路提出以下要求:
          ①動態(tài)驅(qū)動能力強,能為柵極驅(qū)動電壓脈沖提供充分大上升率和下降率,以減小開通和關(guān)斷損耗。但是,由于主電路中存在分布電感及濾波電容的串聯(lián)電感,隨著IGBT的高速開通與關(guān)斷將在電路中產(chǎn)生高頻幅值很高而寬度很窄的尖峰電壓Ldi/dt,該尖峰電壓應用常規(guī)的過電壓吸收電路是吸收不掉的,因而有可能造成IGBT自身或電路中其他元件過電壓擊穿而損壞。所以,主電路應盡可能使用短引線或雙絞線降低分布電感的影響,而且IGBT開關(guān)時間也不能過短,其值應根據(jù)所有元件及IGBT自身的承受du/dt的能力綜合考慮。
          ②能向IGBT提供適當?shù)恼驏艠O電壓,IGBT導通后的管壓降與所加柵源電壓有關(guān),在集射極電流一定的情況下,uGE越高,uCE就越低,器件的導通損耗就越小,這有利于提高開關(guān)效率。但是,uGE并非越高越好,一般不允許超過20V,原因是一旦發(fā)生過流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT損壞的可能性就越大。通常取15V為宜。
          ③能向IGBT提供適當?shù)姆聪驏艠O電壓。IGBT柵射極施加的反向偏壓有利于其快速關(guān)斷,但-uGE反向偏壓受IGBT柵射極之間反向最大耐壓的限制,過大的反向電壓會造成IGBT柵射極的反向擊穿,所以-UGE應取合適的值,一般為-2V~-15V。
          ④有足夠的輸入輸出電隔離能力。由于IGBT多用于高電壓場合,而控制電路并不與高壓電路有直接耦合,所以驅(qū)動電路應與整個控制電路在電位上有嚴格的隔離。但是,這種電隔離不應影響驅(qū)動信號的正常傳輸。
          ⑤具有柵極電壓限幅能力,保護柵極不被擊穿。IGBT柵極限電壓一般為-20~+20V,超出此范圍就可能破破環(huán)柵極。
          ⑥選擇合適RG,IGBT驅(qū)動電路中的RG對工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會增加IGBT的開關(guān)時間和開關(guān)損耗,RG較小,會引起電流上升率增大,使IGBT誤導通或損環(huán)。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐一幾十歐。
          ⑦IGBT的柵極驅(qū)動電路應盡可能的簡單、實用,最好具有對驅(qū)動IGBT的完整保護能力及很強的抗干擾性能,而且輸出阻抗應盡可能的低。
          ⑧由于柵極信號的高頻變化,造成同一個系統(tǒng)多個IGBT的柵極驅(qū)動電路相互干擾。為防止干擾的出現(xiàn),引線應采用絞線或同軸電纜屏蔽線,同時柵極驅(qū)動電路中IGBT模塊柵射的引線也應盡可能的短。
          2 實用型IGBT驅(qū)動電路
          針對IGBT驅(qū)動電路的上述要求,在工程實踐中提煉出一種簡單實用的分立式IGBT驅(qū)動電路,其電路簡圖如圖1所示,在電路簡圖中:Q1,Q3為NPN型三極管,Q2,Q4為PNP型三極管,D1~D4為保護二極管,二路PWM控制信號A,B為高電平或低電平,即A為高電平,B為低電平時,Q1、Q4導通,Q2、Q3關(guān)斷,此時,Q1、Q4和T1原邊繞組就形成通路,脈沖電壓加在T1的原邊,與原邊同相位的次邊得到開通驅(qū)動信號,與原邊相反的次邊得到關(guān)斷驅(qū)動信號。這些部分的作用是將A、B信號推挽放大,并通過隔離變壓器T1將驅(qū)動信號發(fā)生電路與高壓電路隔離。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179257.htm

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