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          高頻條件下IGBT驅動電路的設計與仿真

          作者: 時間:2011-04-11 來源:網(wǎng)絡 收藏

          當開通信號加在CD端時,在脈沖的上升沿,電容C1相當短路,通過門極電阻R1和加速電容C1向柵極提供較大電流,降低脈沖的上升時間,最終因uGE上升至15V而導通。同時因為NPN三極管Q5的門極通過R2接至低電平,因此處于截止狀態(tài),對的導通沒有影響;在脈沖平頂期,此時,IGBT的輸入電容Cies已經(jīng)滿電,此時IGBT的G-E極之間相當于斷開,變壓器次邊VCD保持高電平。當脈沖下降沿到來時,IGBT的輸入電容在這段時間要反向放電,若放電速度太快,會引起極大的關斷尖峰,造成IGBT的損壞;若放電速度太慢又會造成IGBT關斷時間過長,形成較大的拖尾電流,造成關斷損耗增加,降低效率。因此應該適當控制IGBT輸入電容的放電速度。在圖1的實用型中,可以通過改變Q5的限流電阻R2和加速電容C1的值來實現(xiàn)Cies適當放電:當C1較大,R2較小時,一方面電容C1中儲存的電量較大,另一方面,三極管Q5基極電流大使得發(fā)射極電流大,因此Cies的放電速度較大;當C1較小,R2較大時,Cies放電速度減小。又因為C1往往大于Cie-s,因此在輸入電容Cies放電結束后,即IGBT關斷后,C1上可能還殘存少量電量,若沒有適當?shù)姆烹娀芈罚@個電容經(jīng)過幾個脈沖周期后充滿電荷,而失去加速作用,所以要求C1在每個周期上升沿到來時,電容上無存儲電荷,因此在IGBT的G-E端并聯(lián)電阻R3,給電容C1提供放電回路。D5為15V穩(wěn)壓管,防止驅動信號失控而造成的IGBT損壞。

          3 結果及分析
          運用PSpice軟件在脈沖頻率50kHz,占空比為50%,輸入電壓600伏,負載600歐的下來對比該實用型驅動與普通驅動的驅動效果。圖2為波形圖,從波形圖可以看出,在脈沖信號(V(V1))的上升沿普通的驅動信號也快速上升,使得流經(jīng)IGBT集射極電流(圖中間的I(R1))急劇上升,而實用驅動信號有一個可適宜的的斜率,防止因du/dt過大而造成的對IGBT的損害,并能可以通過調節(jié)R1的值來以使集射極電流以一個適宜的斜率上升。在脈沖信號的下降沿,普通驅動的集射極電流拖尾時間長為2.7μs,而采用實用型驅動電路的CE端電流拖尾時間只有1.3,下降時間的減少,有利于減少IGBT集射極二端電流與電壓共同作用時而產(chǎn)生的功耗,能夠較好減少關斷損耗,提高效率。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179257.htm

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          4 結束語
          通過以上分析可知,IGBT的門極驅動密切地關系到IGBT的靜態(tài)和動態(tài)性能。門極電路的開通電壓,關斷電壓,開通電壓上升率,關斷電壓下降率對IGBT的通態(tài)電壓、開關速率、開關損耗、承受di/dt電壓等參數(shù)有不同程序的影響。調節(jié)R1可獲得適宜的脈沖前沿上升率,即保證IGBT能在盡量短的時間內導通,又保證不會因為du/dt過大而產(chǎn)生尖峰或對IGBT造成損壞;取適宜C1值,使電容C1即能引收因開關造成的尖峰。又能與R2配合,加快IGBT的關斷,減小平均拖尾電流的大小和拖尾電流存在的時間,上述參數(shù)的大小一般要通過多次試驗來確定,以達到最佳驅動將是。
          此驅動電路已經(jīng)在2000W移相軟開關直流電源中得到應用。由于其只采用簡單的分立式元件,不需要專業(yè)芯片,結構簡單,成本低廉。而且可靠性高,因此非常適合小功率的IGBT開關電路,具有很大的應用前景。

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