EMI電源濾波器的插入損耗分析
如圖4所示,RLo的取值隨著頻率的增加而減小,當(dāng)RLRLo時,共模插損逐漸減小。當(dāng)RL>RLo時,共模插損逐漸增大。本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179261.htm
(2)差模插入損耗的分析。
由式(3)可知,令
由式(8)中可以看出,當(dāng)RS和RL同時增大時,g(RS,RL)也隨之增大。如圖5所示,同時增大源、負(fù)載阻抗,差模插入損耗逐漸增大。
若阻抗失配的條件下,即源阻抗小于負(fù)載阻抗,式(8)可化簡為
負(fù)載阻抗在近似計算中可以被忽略,而源阻抗對差模插入損耗的影響是不同的。圖6所示為源、負(fù)載阻抗分別為0.1/100Ω、50/1MΩ、100/1MΩ時,差模插入損耗的比較隋況。由式(7)分析可知,在源阻抗小于負(fù)載阻抗的條件下,忽略負(fù)載阻抗的影響,源阻抗對插損的影響成正比,即源阻抗越大,插損越大;反之,則越小。
3 結(jié)束語
通過對EMI濾波器共模和差模等效電路進(jìn)行分析,推導(dǎo)出共模、差模插入損耗的計算表達(dá)式,并且分別對不同源、負(fù)載阻抗對共模、差模插入損耗的影響做了分析,得出如下結(jié)論:
(1)對共模插損來說,在低源阻抗/高負(fù)載阻抗的條件下,失配程度越大,共模插損越高,濾波器性能越好。當(dāng)源阻抗小于負(fù)載阻抗時,忽略源阻抗的影響,負(fù)載阻抗對插損的作用成反比,即負(fù)載阻抗越大,共模插入損耗越??;反之,則越大。
(2)對差模插耗來說,在高源阻抗/高負(fù)載阻抗的條件下,差模插入損耗越高。當(dāng)源阻抗小于負(fù)載阻抗時,源阻抗對差模插入損耗的作用成正比,即源阻抗越大,插損越大;反之,則越小。
(3)RLo的取值隨著頻率的增加而減小,當(dāng)RLRLo時,共模插損逐漸減小。當(dāng)RL>RLo時,共模插損逐漸增大。
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