SEZ部署了FEOL清洗產(chǎn)品特性全新的ESANTI 單晶圓濕式平臺

 
 
Esanti 標(biāo)志著SEZ面向FEOL戰(zhàn)略發(fā)展藍(lán)圖又邁出了至關(guān)重要的一步

SEZ（瑟思）集團(tuán) (瑞士股票交易市場SWX代碼：SEZN)于宣布了公司面向前段工藝過程（FEOL）中清洗和光阻剝離工藝的Esanti平臺。極其靈活的Esanti平臺充分利用了SEZ集團(tuán)久經(jīng)考驗的專業(yè)技術(shù)單晶圓濕式處理技術(shù)，旨在滿足45納米及其更低尺寸的芯片制造中前段工藝過程的清洗衍變需求。它構(gòu)筑于公司的核心旋轉(zhuǎn)處理器技術(shù)之上，增加了新的功能，改善了缺陷去除和表面干化，從而有效地滿足了范圍寬泛的量產(chǎn)制造應(yīng)用需求。這一新型平臺是SEZ集團(tuán)面向FEOL工藝過程系列產(chǎn)品的最新貢獻(xiàn)，是繼今年七月發(fā)布專利產(chǎn)品Enhanced Sulfuric Acid （ESA）剝離工藝過程之后的又一力作，而Esanti平臺無疑優(yōu)化了該產(chǎn)品的部署展開。

單晶圓技術(shù)－特別是濕式處理技術(shù)－隨著產(chǎn)品周期的縮短以及成本的持續(xù)攀升，導(dǎo)致了對更優(yōu)秀工藝控制的需求，使得該技術(shù)逐漸成為主流趨勢。近年來，在后段工藝過程（BEOL）中，以往由批式工藝過程（濕式處理臺和噴射工具）占據(jù)絕對主導(dǎo)地位的清洗市場已經(jīng)衍變到單晶圓方法。如今，公司已經(jīng)做好充分準(zhǔn)備，可以將FEOL清洗和剝離步驟轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉A工藝過程，這一切都?xì)w因于上述兩種單晶圓方法能夠克服批式技術(shù)存在的一系列局限性。單晶圓方法通過卓越的工藝過程控制、均一性、周期時間以及與其它單晶圓工具的匹配等，實現(xiàn)了交叉污染（晶圓內(nèi)和晶圓間）的最小化，從而極大地改善了缺陷密度。

SEZ集團(tuán)執(zhí)行副總裁兼首席運營官Kurt Lackenbucher先生表示：“作為單晶圓濕式處理技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)先公司，SEZ以綜合全面的系列BEOL和FEOL旋轉(zhuǎn)處理解決方案，通過與重要的業(yè)界伙伴和協(xié)會緊密協(xié)作，已經(jīng)能夠滿足客戶的需求?！彼^續(xù)強調(diào)說：“SEZ率先發(fā)起了向BEOL單晶圓處理的衍變，并繼而成為主導(dǎo)力量，在市場和用戶需求的引導(dǎo)下，SEZ再一次引領(lǐng)了向FEOL清洗和剝離的衍變，為我們產(chǎn)品系列增加了新的生力軍?！?

Esanti平臺具備多個開放的反應(yīng)倉設(shè)計，實現(xiàn)了充分的靈活性，滿足了廣泛的FEOL清洗應(yīng)用需求，包括擴散前清洗、門極前清洗、剝離/灰化后清洗、接觸和金屬化前清洗，以及高溫（140攝氏度）蝕刻后、離子注入后濕式阻抗剝離和清洗和光阻返工。該平臺整合了經(jīng)過驗證的已整合到SEZ達(dá)芬奇Da Vinci產(chǎn)品家族中的功能，諸如聚合物清洗和背面處理，以及一系列的新特點。其中最重要的特點是雙面處理功能、Active-Jet漸射技術(shù)，實現(xiàn)了改善的缺陷去除，同時還包括SEZ的專利氣霧表面干蝕（ASD）技術(shù)，在干蝕工藝過程中有效預(yù)防了各種結(jié)構(gòu)上水印的形成，以及圖形的失效。 


籍由 SEZ達(dá)芬奇Da Vinci系列產(chǎn)品的巨大成功，Esanti平臺工具也將被廣泛應(yīng)用于各種配置中?？蛻艨梢苑謩e選擇四個或者八個反應(yīng)倉版本，以實現(xiàn)與200毫米晶圓或者300毫米晶圓的兼容。與批式處理相比，平臺實現(xiàn)了值得炫耀的產(chǎn)能和靈活的、外部化學(xué)試劑傳送系統(tǒng)，因而能夠使用多達(dá)四種的化學(xué)試劑和工藝過程－在反應(yīng)倉級，因此在同一個工具中能夠以最小的相互影響同時執(zhí)行多個工藝過程。不同化學(xué)試劑的分別排干和消耗，改進(jìn)了化學(xué)試劑順序的變化，同時不會產(chǎn)品反應(yīng)倉的變化。