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          采用新型IGBT優(yōu)化軟開關應用中的損耗

          作者: 時間:2011-01-12 來源:網(wǎng)絡 收藏
          在典型飽和壓降Vce(sat)=1.6V@25℃/1.85V@175℃和典型正向電壓Vf=1.25V@175℃(額定電流)的條件下,功率損(特別是軟的導通)可大幅度降低。由IHW20N120R2的下降時間的切線可看出高速度—tf=24ns@25℃和Rg=30Ω(44ns@175℃)。IHW30120R2在下降時間方面是最為出色的:tf=33ns@25℃,Rg=30Ω;tf=40ns@175℃。(在硬條件下測量,參見帶有Eoff曲線的圖6和圖7)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179976.htm

          圖5 :來自英飛凌科技的最新一代RC2-(IHWxxN120R2,xx=15A、20A、25A和30A)。無鉛電鍍TO-247封裝

          圖6 :在硬條件下,175℃結(jié)溫以及室溫下IHW20N120R2(IN=20A,Vces=1,200V)和IHW30N120R2(IN=30A)的下降時間切線

          圖7 :在硬開關條件下,175℃結(jié)溫以及室溫下RC2-的Eoff曲線

          圖6顯示如果柵極電阻低于30(,下降時間再度上升。這對于實現(xiàn)良好的EMI行為非常重要。所有市場上相關設計目前使用的柵極電阻都在10~20Ω之間。這個柵極電阻選用區(qū)域也是最低開關區(qū)(見圖7)。它具有最低的開關和合適的EMI表現(xiàn)。

          圖8 :室溫和不同電流條件下IHW20N120R2的飽和壓降與Vf的關系

          圖7和圖8顯示了最新一代RC2-(IHW20N120R2)的超低飽和壓降Vce(sat)和正向電壓Vf。圖8顯示了1,000片該器件在室溫和不同電流條件下的最低和最高飽和壓降的曲線圖,圖9顯示了它們在不同溫度和20A額定電流條件下的飽和壓降曲線圖。

          圖9 :20A標稱電流和不同溫度下IHW20N120R2的飽和壓降與Vf的關系

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