IGBT強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
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改進(jìn)電路部分所加器件可以看成一個(gè)可變電阻：這個(gè)電阻在脈沖上升沿開始到IGBT彌勒平臺(tái)時(shí)(t0～t2)，電阻值是很小的，主要是充電電流從加速電容這條支路流過，從而不斷加快對(duì)IGBT門極電容的充電。IGBT的彌勒平臺(tái)這段時(shí)間內(nèi)，隨著電容上電壓升高，其充電電流速率在逐漸減小，到彌勒平臺(tái)結(jié)束時(shí)，其充電電流速率為零，充電電流達(dá)到最大。這個(gè)可以從門極電阻上電壓波形得到證實(shí)。在上升沿結(jié)束(t3)時(shí)，充電電流減小到幾乎為零，從而不會(huì)出現(xiàn)過沖尖峰。在加速電容前加一個(gè)反向二極管阻斷其快速放電通道。圖3是原始的驅(qū)動(dòng)波形圖；圖4為附加電路驅(qū)動(dòng)波形；圖5為滿負(fù)載時(shí)驅(qū)動(dòng)波形圖。
2 驅(qū)動(dòng)電路改進(jìn)方法分析
圖1中用框標(biāo)出的電路就是對(duì)原有驅(qū)動(dòng)電路的改進(jìn)。通過在門極增加穩(wěn)壓管、二極管、電容和電阻，可以較好地吸收上升沿、下降沿和尖峰。
由圖3和圖4比較可以看出，在較小延時(shí)的情況下，應(yīng)把尖峰減到最小。從圖3可以看出，要減小的尖峰主要是負(fù)脈沖后沿的過沖尖峰，因?yàn)檫@個(gè)尖峰極有可能達(dá)到IGBT的開啟電壓(Vth)，這樣就會(huì)造成同一橋臂的兩個(gè)IGBT直通；同時(shí)由圖5可以看出，在滿負(fù)載(600 V／30 A)狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)波形具有很好的穩(wěn)定性，而且沒有大的尖峰，這就保證了IGBT穩(wěn)定、安全的工作。
評(píng)論