IGBT強驅動電路的設計
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驅動等效電路如圖6所示。其中，Lm為變壓器次邊的勵磁電感；Z1為穩(wěn)壓管(其反向相當于一個二極管，所以圖中就用一個二極管來代替)；Rg為驅動電阻，Cgs為IGBT的柵極和源極之間電容；R1為線路等效電阻。由等效電路可知：
R1實際值很小，可以忽略。穩(wěn)壓二極管并聯在D1，C1兩端，它的電壓是D1和C1兩端電壓之和。穩(wěn)壓二極管是隨電流大小自動調整的“可變”電阻。通過改變電阻來控制上升沿和下降沿的速率，從而達到控制過沖尖峰的大小。實測Rg與驅動變壓器次邊反向波形如圖7所示。Rg上電壓波形即為勵磁電感上流過的電流波形。正脈沖下降沿的過沖尖峰由勵磁電感造成的：
由式(2)可以看出，在相同電流變化率情況下，勵磁電感越小，勵磁電感上的電壓尖峰也越小，相應的IGBT G-S之間電壓尖峰也越??；同時減小勵磁電感還可以減小漏感，但是勵磁電感減小會造成脈沖平頂的斜率加大，所以要綜合考慮各種情況。
3 結語
通過對上面改進電路的詳細分析知道，威脅開關管安全的驅動脈沖過沖尖峰主要是由勵磁電感決定的，因此盡可能減小勵磁電感是減小過沖尖峰的最直接方法，同時還與穩(wěn)壓管的性能有很大關系。脈沖前沿上升率主要由加速電容決定，電容過小，會出現驅動脈沖前沿過緩，過大會有尖峰，所以要取合適的加速電容。電容的大小一般通過多次實驗來確定。這個電容大小的選擇既要考慮使脈沖上升沿較陡，又不出現尖峰。
此驅動電路已在中頻脈沖滲碳電源中應用，配合器件過流過壓保護電路，能較好地滿足200 A／1 200 VIGBT模塊的驅動要求。同時對驅動大功率的MOSFET等場驅動開關管都有很好的借鑒作用。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/180157.htm
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