疊柵MOSFETs的結構設計與研究

摘要：通過分析設計，提出了一種新型結構的疊柵MOSFET，它的柵電容是由兩個電容混聯(lián)組成，所以它有較小的柵電容和顯著的抑制短溝道效應的作用。模擬軟件MEDICI仿真結果驗證了理論分析的預言，從而表明該結構可用作射頻領域。
關鍵詞：疊柵MOSFET；閾值電壓；柵氧化層電容；短溝道效應

0 引言
盡管微電子學在化合物和新元素半導體材料以及電路技術方面取得了很大的進展，但是其材料的元件和集成電路還遠不具備成為主流技術的條件，到目前為止，還看不到能夠替代硅基微電子技術的新技術出現(xiàn)，至少在21世紀的前半葉，硅基CMOS工藝技術仍將是微電子的主流，因此研究新結構、新工藝的硅基CMOS器件還是當前提高集成電路的主要努力方向。近十年來在這些方面人們已取得了眾多的進展，溝道工程、超淺結技術、柵工程技術把CMOS器件應用的范圍不斷的拓展，已經(jīng)開發(fā)出了一系列新結構的MOSFET。
關于新型柵結構晶體管的理論研究可以追溯到1967年，與此同時人們也在對體硅MOSFET的特性進行研究。從1980年以來，大量不同結構的體硅MOSFET被提出，并得到發(fā)展，如SOI MOSFET、雙柵MOSFET。
本文依據(jù)柵工程原理提出一種新型的疊柵結構MOSFET，下面分兩個部分來描述其結構及特性。首先描述了疊柵MOSFET的器件結構和它的優(yōu)點；接著介紹了這種疊柵MOSFET的柵氧電容和閾值電壓隨溝長L變化的情況，再通過模擬仿真驗證了理論分析。所得到的結果表明疊柵MOSFET有較小的柵電容和短溝道效應，而這兩個結果正是射頻電路樂于接受的。

1 器件結構
圖1是所提出的疊柵MOSFET的結構示意圖，該MOSFET可有多種接法。由圖1可見疊柵MOSFET的第一柵Gl和第二柵G2部分疊交，第一柵的制作材料用N+型多晶硅(功函數(shù)φG1=4．17eV)，第二柵則用功函數(shù)較高的P+多晶硅(功函φG2=5．25eV)。柵的接法有多種，這里將兩個柵都接同一個電壓，因此總柵電容是混聯(lián)。

這種結構存在很多優(yōu)點，傳統(tǒng)MOSFET中的電子一般以一個較低的初速度進入溝道，在向漏端運動的過程中慢慢加速，在漏端達到電子最大漂移速度，因此電子在漏端運動很快，而在源端速度較低，器件速度主要受限于源端較低的電子運動速度，它的場強分布不均勻。載流子在溝道區(qū)只有在近漏端才會受到很大的加速作用，這樣加速區(qū)域小，易在漏端形成熱載流子注入，同時在低漏壓情況下器件也會產(chǎn)生DIBL效應和短溝道效應。疊柵MOSFET溝道中的電場分布與普通MOS有所不同，在溝道中間處由于兩個柵突變界面的影響，溝道電場分布不均勻，其界面處電場有一個峰值，源端電子在這個峰值電場的加速下，呈現(xiàn)了較大的平均速度，同時電場分布更加均勻。這樣，溝道中電子的平均速度增大，提高了遷移率，使得其截止頻率和驅(qū)動能力增加，加大了跨導gm。而且漏端的尖峰電場下降，降低了短溝道效應，減小了熱載流子注入，提高了擊穿電壓。
就柵電容而言，由于新結構柵是由兩個部分交疊的電容組成，柵電容屬于混連，其值小于單柵結構的柵電容，從而提高了功率增益和最高工作頻率。結構上的優(yōu)勢使得該器件跨導大、截止頻率高、短溝道效應小、I-V曲線平滑輸出電阻大，可用于射頻電路。本文將分析它的閾值電壓、柵本征電容的情況，其它特性另文介紹。