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          疊柵MOSFETs的結構設計與研究

          作者: 時間:2010-09-13 來源:網(wǎng)絡 收藏

          2 特性模擬
          2.1 閾值電壓特性
          首先,我們用模擬軟件MEDICI仿真了MOSFET與單柵MOSFET的閾值電壓,對仿真結果做比較,將不同溝道長度閾值電壓特性以及閾值電壓的變化率展現(xiàn)出來。所用的兩種結構除了柵結構不同外,其它參數(shù)都相同(如溝道摻雜情況、源漏情況、溝長等)。具體摻雜數(shù)值如表1,

          17b.jpg
          為了仿真其閾值電壓特性,接法上將源端、襯底接地,漏端加一個較小電壓VDS=0.10V,單柵氧化層厚度tox=2.0×10-6cm,的兩個柵氧化層厚度都是tox=2.0×10-6cm。仿真結果如圖2所示。

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