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          便攜產(chǎn)品電源芯片的應(yīng)用技術(shù)

          作者: 時間:2006-02-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          作者Email: alecyan@sh163.net

          系統(tǒng)設(shè)計要求

          設(shè)計需要系統(tǒng)級思維,在開發(fā)由電池供電的設(shè)備時,諸如手機、MP3、PDA、PMPDSC等低功耗,如果系統(tǒng)設(shè)計不合理,則會影響到整個系統(tǒng)的架構(gòu)、產(chǎn)品的特性組合、元件的選擇、軟件的設(shè)計和功率分配架構(gòu)等。同樣,在系統(tǒng)設(shè)計中,也要從節(jié)省電池能量的角度出發(fā)多加考慮。例如現(xiàn)在產(chǎn)品的處理器,一般都設(shè)有幾個不同的工作狀態(tài),通過一系列不同的節(jié)能模式(空閑、睡眠、深度睡眠等)可減少對電池容量的消耗。即當(dāng)用戶的系統(tǒng)不需要最大處理能力時,處理器就會進入電源消耗較少的低功耗模式。
          從便攜式產(chǎn)品電源管理的發(fā)展趨勢來看,需要考慮這樣幾個問題:

          1)電源設(shè)計必須要從成本、性能和產(chǎn)品上市時間等整個系統(tǒng)設(shè)計來考慮;

          2)便攜產(chǎn)品日趨小巧薄型化,必需考慮電源系統(tǒng)體積小、重量輕的問題;

          3)選用電源管理力求高集成度、高可靠性、低噪聲、抗干擾、低功耗、突破散熱瓶頸,延長電池壽命;

          4)選用具有新技術(shù)的新產(chǎn)品電源,將新的電源應(yīng)用于新的設(shè)計方案中去,是保證新產(chǎn)品先進性的基本條件,也是便攜產(chǎn)品電源管理的永恒追求。

          便攜產(chǎn)品常用電源管理芯片

          低壓差穩(wěn)壓器LDO Linear Regulators

          LDO

          VLDO;

          基于電感器儲能的DC/DC Converters (Inductor Based Switching Regulators)

          Buck

          Boost

          Buck-Boost;

          基于電容器儲能的Charge Pumps (Switched Capacitor Regulators); ;

          電池充電管理 Battery Chargers;

          鋰電池保護 Lithium Battery Protection;

          電源管理芯片選用思考

          選用生產(chǎn)工藝成熟、品質(zhì)優(yōu)秀的生產(chǎn)廠家產(chǎn)品;

          選用工作頻率高的芯片,以降低成本周邊電路的應(yīng)用成本;

          選用封裝小的芯片,以滿足便攜產(chǎn)品對體積的要求;

          選用技術(shù)支持好的生產(chǎn)廠家,方便解決應(yīng)用設(shè)計中的問題;

          選用產(chǎn)品資料齊全、樣品和DEMO申請用易、能大量供貨的芯片;

          選用產(chǎn)品性能/價格比好的芯片;

          LDO線性低壓差穩(wěn)壓器

          LDO線性低壓差穩(wěn)壓器是最簡單的線性穩(wěn)壓器,由于其本身存在DC無開關(guān)電壓轉(zhuǎn)換,所以它只能把輸入電壓降為更低的電壓。它最大的缺點是在熱量管理方面,因為其轉(zhuǎn)換效率近似等于輸出電壓除以輸入電壓的值。例如,如果一個驅(qū)動圖像處理器的LDO輸入電源是從單節(jié)鋰電池標(biāo)稱的3.6V,在電流為200mA時輸出1.8V電壓,那么轉(zhuǎn)換效率僅為50%,因此在手機中產(chǎn)生了一些發(fā)熱點,并縮短了電池工作時間。雖然就較大的輸入與輸出電壓差而言,確實存在這些缺點,但是當(dāng)電壓差較小時,情況就不同了。例如,如果電壓從1.5V降至1.2V,效率就變成了80%

          當(dāng)采用1.5V主電源并需要降壓至1.2VDSP內(nèi)核供電時,開關(guān)穩(wěn)壓器就沒有明顯的優(yōu)勢了。實際上,開關(guān)穩(wěn)壓器不能用來將1.5V電壓降至1.2V,因為無法完全提升MOSFET(無論是在片內(nèi)還是在片外)。標(biāo)準(zhǔn)低壓差(LDO)穩(wěn)壓器也無法完成這個任務(wù),因為其壓差通常高于300mV。理想的解決方案是采用一個非常低壓差(VLDO)穩(wěn)壓器,輸入電壓范圍接近1V,其壓差低于300mV,內(nèi)部基準(zhǔn)接近0.5V。這樣的VLDO穩(wěn)壓器可以很容易地將電壓從1.5V降至1.2V,轉(zhuǎn)換效率為80%。因為在這一電壓上的功率級通常為100mA左右,那么30mW的功率損耗是可以接受的。VLDO的輸出紋波可低于1mVP-P。將VLDO作為一個降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器的后穩(wěn)壓器就可容易地確保低紋波。

          開關(guān)式DC/DC升降壓穩(wěn)壓器

          當(dāng)輸入與輸出的電壓差較高時,開關(guān)穩(wěn)壓器避開了所有線性穩(wěn)壓器的效率問題。它通過使用低電阻開關(guān)和磁存儲單元實現(xiàn)了高達96%的效率,因此極大地降低了轉(zhuǎn)換過程中的功率損失。

          選用開關(guān)頻率高的DC/DC可以極大地縮小外部電感器和電容器的尺寸和容量,如超過2MHz的高開關(guān)頻率。

          開關(guān)穩(wěn)壓器的缺點較小,通??梢杂煤玫脑O(shè)計技術(shù)來克服。但是電感器的頻率外泄干擾較難避免,設(shè)計應(yīng)用時對其EMI輻射需要考慮。

          開關(guān)式DC/DC升降壓穩(wěn)壓器按其功能分成Buck開關(guān)式DC/DC降壓穩(wěn)壓器、Boost開關(guān)式DC/DC升壓穩(wěn)壓器和根據(jù)鋰電池的電壓從4.2V降低到2.5V能自動切換降升壓功能的Buck-Boost開關(guān)式DC/DC升降壓穩(wěn)壓器。

          電荷泵Charge Pump

          電容式電荷泵通過開關(guān)陣列和振蕩器、邏輯電路、比較控制器實現(xiàn)電壓提升,采用電容器來貯存能量。電荷泵是無須電感的,但需要外部電容器。工作于較高的頻率,因此可使用小型陶瓷電容(1μF),使空間占用最小,使用成本低。電荷泵僅用外部電容即可提供2倍的輸出電壓。其損耗主要來自電容器的ESR(等效串聯(lián)電阻)和內(nèi)部開關(guān)晶體管的RDSON。電荷泵轉(zhuǎn)換器不使用電感,因此其輻射EMI可以忽略。輸入端噪聲可用一只小型電容濾除。它輸出電壓是工廠生產(chǎn)時精密予置的,調(diào)整能力是通過后端片上線性調(diào)整器實現(xiàn)的,因此電荷泵在設(shè)計時可按需要增加電荷泵的開關(guān)級數(shù),以便為后端調(diào)整器提供足夠的活動空間。電荷泵十分適用于便攜式應(yīng)用產(chǎn)品的設(shè)計。從電容式電荷泵內(nèi)部結(jié)構(gòu)來看,它實際上是一個片上系統(tǒng)。

          線性穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓器的比較

          線性穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓器的比較可從下表清楚看到。

          LDO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

          從圖1中可以看到,LDO電流主通道在其內(nèi)部是有一個MOSFET加一個過流檢測電阻組成,肖特基二極管作反相保護,輸出端的分壓電阻取出返饋電去控制MOSFET的流通電流大小,EN使能端可從外部去控制它的工作狀態(tài),內(nèi)部還設(shè)置過流保護、過溫保護、信號放大、POWER-OK、基準(zhǔn)源等電路,實際上LDO已是一多電路集成的SOC。LDOESD>4KV,HBM ESD>8KV。圖2可見它的應(yīng)用實例。

          圖1LDO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

          低壓差穩(wěn)壓器 (LDOs)的應(yīng)用

          低壓差穩(wěn)壓器的應(yīng)用象三端穩(wěn)壓一樣簡單方便,一般在輸入、輸出端各加一個濾波電容器即可。電容器的材質(zhì)對濾波效果有明顯影響,一定要選用低 ESRX7R X5R 陶瓷電容器。

          關(guān)于低壓差穩(wěn)壓器 (LDOs) 制造工藝

          LDO低壓差穩(wěn)壓器串聯(lián)使用,它不是一個開關(guān),也不是傳遞一個比輸出電壓更高的電壓;

          一些LDO使用雙極晶體管(Bipolar)工藝,從根本上來說,BipolarCMOS工藝二者在功能上沒有區(qū)別,可是有一些內(nèi)在的性能差別,成本不同;

          LDO布線考慮:降低噪音和紋波

          LDO布線設(shè)計要點是考慮如何降低PCB板上的噪音和紋波,如何走好線是一個技巧加經(jīng)驗的工藝性細活,也是設(shè)計產(chǎn)品成功的關(guān)鍵之一。圖3說明了如何設(shè)計走線電路圖,掌握好電流回流的節(jié)點,有效的控制和降低噪音和紋波。優(yōu)化布線方案是值得參考的。4說明了PCB板布線(Layout )的設(shè)計技巧,被推薦的布線方案解決了電流回流路徑不良引出的噪音和紋波。

          典型布線方案

          優(yōu)化布線方案

          圖3布線電路方案考慮

          Buck開關(guān)式DC/DC降壓穩(wěn)壓器內(nèi)部結(jié)構(gòu)

          從圖5Buck開關(guān)式DC/DC降壓穩(wěn)壓器內(nèi)部拓撲結(jié)構(gòu)來看,這是一種采用恒定頻率、電流模式降壓架構(gòu),內(nèi)置主(P溝道MOSFET)和同步(N溝道MOSFET)開關(guān)。PWM控制的振蕩器頻率決定了它的工作效率和使用成本。

          DC/DC應(yīng)用電路設(shè)計思考

          6 Buck開關(guān)式DC/DC應(yīng)用線路設(shè)計

          6給出了Buck開關(guān)式DC/DC應(yīng)用線路設(shè)計,需要注圖中粗線的部分:

          粗線是大電流的通道;

          選用 MuRata, Tayo-Yuden, TDK AVX 品質(zhì)優(yōu)良、低 ESRX7R X5R 陶瓷電容器;

          在應(yīng)用環(huán)境溫度高,或低供電電壓和高占空比條件下(如降壓)工作,要考慮器件的節(jié)溫和散熱。

          7給出了Buck開關(guān)式DC/DC應(yīng)用PCB設(shè)計的實例,特別需要注意:

          SW vs L1 距離 4mm

          Cout vs L1 距離 4mm

          SW、Vin、Vout、GND 的線必須粗短。

          PCB板設(shè)計要點

          要得到一個運作穩(wěn)定和低噪音的高頻開關(guān)穩(wěn)壓器,需要小心安排PCB板的布局結(jié)構(gòu),所有的器件必需靠近DC/DC,可以把PCB板按功能分成幾塊,如圖所示。

          1) 保持通路在Vin、Vout之間,Cin、Cout接地很短,以降低噪音和干擾;

          2R1、R2CF的反饋成份必須保持靠近VFB反饋腳,以防噪音;

          3)大面積地直接聯(lián)接2腳和Cin、Cout的負端。

          DC/DC的應(yīng)用

          1APS1006應(yīng)用于MCU/DSP(Core)供電

          2DC/DC應(yīng)用于0.8-1.8”微硬盤供電

          4)APS1006、APS4070在智能手機上的應(yīng)用

          電荷泵應(yīng)用技巧

          電荷泵是一種無幅射的有效升壓器件,它不使用電感器而使用電容器作為儲能器件。在設(shè)計應(yīng)用時需要注意電容器的容量和材質(zhì)對輸出紋波的影響。

          外部電容器的容量關(guān)系到輸出紋波,在固定的工作頻率下,太小的電容容量,將使輸出紋波增大。圖12 圖例是說明同一電荷泵的電容器容量影響輸出紋波。

          輸出紋波大小與電容器材料介質(zhì)有關(guān),外部電容器的材料類型關(guān)系到輸出紋波,圖13圖例是說明同一電荷泵,使用相同的容量和尺寸而不同材料類型的電容器,輸出紋波的結(jié)果。在工作頻率固定,電容器容量相同的情況下,優(yōu)良的材料介質(zhì),將有效地降低紋波。選用低ESR的X7RX5R陶瓷電容器是一種比較好的選擇。

          LCM 需要 MCM 電源模塊

          LCMLCD Module)是目前CP、MP3/MP4、PMP需求量較大的產(chǎn)品,在有限的PCB面積上,需要按裝LCD屏、數(shù)碼相機的鏡頭和閃光燈、Audio DAC等器件,因此它需要封裝很小的多芯片組合的電源模塊(MCM),以減小電源IC所占PCB的面積,而手機產(chǎn)品又要求這些電源ICRF幾乎無干擾。圖14說明了這種電源模塊與LCM負載的關(guān)系。

          鋰電池充電IC內(nèi)部架構(gòu)

          鋰電池充電IC是一個片上系統(tǒng)(SOC),由圖15 可以看到它由讀取使能微控制器、2倍涓流充電控制器、電流環(huán)誤差放大器、電壓環(huán)誤差放大器、電壓比較器、溫度感測比較器、環(huán)路選擇和多工驅(qū)動器、充電狀態(tài)邏輯控制器、狀態(tài)發(fā)生器、多工器、LED信號發(fā)生器、MOSFET、基準(zhǔn)電壓、電源開機復(fù)位、欠電壓鎖定、過流/短路保護等十多個不同功能的IC整合在一個晶元上。它是一個高度集成、智能化芯片。


          鋰電智能充電過程:涓流充
          恒流充恒壓充電壓檢測(圖16),因此電路設(shè)計的關(guān)鍵是要做到:充分保護、充分充電、自動監(jiān)測、自動控制。

          鋰電池保護 IC

          鋰電池保護電路是封裝在鋰電池包內(nèi)的,它由一顆鋰電池保護 IC和二顆MOSFET組成,如圖17所示。鋰電池保護電路簡單工作原理如下:

          正常裝態(tài)M1M2均導(dǎo)通;

          過充電時M2 OC腳由高電位轉(zhuǎn)至低電位,電閘關(guān)閉,截止充電,實現(xiàn)過充電保護;

          充電電流方向P+P- ;

          過放電時M1 OD腳由高電位轉(zhuǎn)至低電位,電閘關(guān)閉,截止充放電,實現(xiàn)過放電保護;

          放電電流方向P- P+ ;

          鋰電池保護 IC Layout 技巧

          鋰電池保護電路的PCB板是很小的,設(shè)計時必須注意:

          1MOSFET盡可能接近B-、P-

          2ESD防護電容器盡可能接近P+、P-;

          3)相鄰線間距>0.25mm,通過電流大的線要放寬,地線加寬。

          18鋰電池保護電路的PCB板圖可供設(shè)計參考。



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