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          集成功率級LED與恒流源電路一體化設(shè)計(jì)

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          作者:許 萍 時(shí)間:2006-12-25 來源:半導(dǎo)體技術(shù) 收藏
          1 引言 

          目前,功率級產(chǎn)品有兩種實(shí)現(xiàn)方式:一是采用單一的大面積功率級芯片封裝,美國、日本已經(jīng)有5W芯片的產(chǎn)品推向市場,需要低壓大電流的恒流驅(qū)動(dòng)電源供電,其價(jià)格也比較高;另一種是采用小功率芯片集成方式實(shí)現(xiàn)功率級,日本松下電工已經(jīng)開發(fā)出20W的集成LED產(chǎn)品。然而由于功率級LED在低壓大電流條件下工作,對于遠(yuǎn)距離的恒流驅(qū)動(dòng)電源供電卻存在著線路功耗大、系統(tǒng)可靠性低等許多難以解決的技術(shù)問題。

          在承擔(dān)的國家級科技攻關(guān)項(xiàng)目中,我們將新設(shè)計(jì)的DIS1xxx系列集成二極管與LED芯片通過電路工藝技術(shù)集成為一體,解決了集成功率級LED在使用中的恒流電源供電問題,其電流穩(wěn)定度、溫度漂移和可靠性等技術(shù)指標(biāo),均符合項(xiàng)目要求。

          2 主要參數(shù)設(shè)計(jì)

          采用單晶硅片作為基板,用雙極型集成電路工藝方法在硅片上制作二氧化硅絕緣層、鋁導(dǎo)電反光層,將多個(gè)LED芯片、SMD阻容元件和DIS1xxx 系列集成芯片集成在一起。通過光刻和擴(kuò)散工藝,在單晶硅層形成反向穩(wěn)壓二極管,用于泄放靜電,以提高LED的抗靜電能力。我們設(shè)計(jì)的5W功率級集成LED,采用80個(gè)0.3mm



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