基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準
3.2 有效負載電路
由圖2可知,電流I流過MOS管M15,ML1時:
由式(2)可知,載流子遷移率μ是溫度的高階函數(shù),若近似認為μN,μP的溫度變化量相等,可將K看作常數(shù),可得:
由式(3)和式(13)可知,取恰當?shù)腒值,即合理選擇MOS管M15和ML1的寬長比,就可以使閾值電壓VTHN和VTHP的溫度系數(shù)相抵消,使VREF幾乎不隨環(huán)境溫度的變化而變化。
3.3 電路的優(yōu)化
在圖2中MOS管M12,M13,M14,M15起電流鏡像作用,可以將這4個管子省去,直接將負載管ML1接到M10和M11的漏極。這樣將圖2優(yōu)化成圖3就可以少4個MOS管,節(jié)省版圖面積。本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/187387.htm
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