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	 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2011-08-17
				來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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          3．2 有效負(fù)載電路
           由圖2可知，電流I流過(guò)MOS管M15，ML1時(shí)：
          k.jpg
           l.jpg
           由式(2)可知，載流子遷移率μ是溫度的高階函數(shù)，若近似認(rèn)為μN，μP的溫度變化量相等，可將K看作常數(shù)，可得：
           m.jpg
           由式(3)和式(13)可知，取恰當(dāng)?shù)腒值，即合理選擇MOS管M15和ML1的寬長(zhǎng)比，就可以使閾值電壓VTHN和VTHP的溫度系數(shù)相抵消，使VREF幾乎不隨環(huán)境溫度的變化而變化。
          3．3 電路的優(yōu)化
           在圖2中MOS管M12，M13，M14，M15起電流鏡像作用，可以將這4個(gè)管子省去，直接將負(fù)載管ML1接到M10和M11的漏極。這樣將圖2優(yōu)化成圖3就可以少4個(gè)MOS管，節(jié)省版圖面積。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/187387.htm
          n.jpg
          
				
            
          
                
			
							
          
                
			            
                            
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            CMOS
                        VTH
                        電壓基準(zhǔn)
                        
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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