PCB設(shè)計中的EMC/EMI控制技術(shù)
引言
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/189726.htm隨著IC 器件集成度的提高、設(shè)備的逐步小型化和器件的速度愈來愈高,電子產(chǎn)品中的EMI問題也更加嚴重。從系統(tǒng)設(shè)備EMC /EMI設(shè)計的觀點來看,在設(shè)備的PCB設(shè)計階段處理好EMC/EMI問題,是使系統(tǒng)設(shè)備達到電磁兼容標準最有效、成本最低的手段。本文介紹數(shù)字電路PCB設(shè)計中的EMI控制技術(shù)。
1 EMI的產(chǎn)生及抑制原理
EMI的產(chǎn)生是由于電磁干擾源通過耦合路徑將能量傳遞給敏感系統(tǒng)造成的。它包括經(jīng)由導線或公共地線的傳導、通過空間輻射或通過近場耦合三種基本形式。EMI的危害表現(xiàn)為降低傳輸信號質(zhì)量,對電路或設(shè)備造成干擾甚至破壞,使設(shè)備不能滿足電磁兼容標準所規(guī)定的技術(shù)指標要求。
為抑制EMI,數(shù)字電路的EMI設(shè)計應按下列原則進行:
●根據(jù)相關(guān)EMC/EMI技術(shù)規(guī)范,將指標分解到單板電路,分級控制。
●從EMI的三要素即干擾源、能量耦合途徑和敏感系統(tǒng)這三個方面來控制,使電路有平坦的頻響,保證電路正常、穩(wěn)定工作。
●從設(shè)備前端設(shè)計入手,關(guān)注EMC/EMI設(shè)計,降低設(shè)計成本。
在處理各種形式的EMI時,必須具體問題具體分析。在數(shù)字電路的PCB設(shè)計中,可以從下列幾個方面進行EMI控制。
2.1 器件選型
在進行EMI設(shè)計時,首先要考慮選用器件的速率。任何電路,如果把上升時間為5ns的器件換成上升時間為2.5ns的器件,EMI會提高約4倍。EMI的輻射強度與頻率的平方成正比,最高EMI頻率(fknee)也稱為EMI發(fā)射帶寬,它是信號上升時間而不是信號頻率的函數(shù):fknee =0.35/Tr (其中Tr為器件的信號上升時間)
這種輻射型EMI的頻率范圍為30MHz到幾個GHz,在這個頻段上,波長很短,電路板上即使非常短的布線也可能成為發(fā)射天線。當EMI較高時,電路容易喪失正常的功能。因此,在器件選型上,在保證電路性能要求的前提下,應盡量使用低速芯片,采用合適的驅(qū)動/接收電路。另外,由于器件的引線管腳都具有寄生電感和寄生電容,因此在高速設(shè)計中,器件封裝形式對信號的影響也是不可忽視的,因為它也是產(chǎn)生EMI輻射的重要因素。一般地,貼片器件的寄生參數(shù)小于插裝器件,BGA 封裝的寄生參數(shù)小于QFP 封裝。
2.2 連接器的選擇與信號端子定義
連接器是高速信號傳輸?shù)年P(guān)鍵環(huán)節(jié),也是易產(chǎn)生EMI的薄弱環(huán)節(jié)。在連接器的端子設(shè)計上可多安排地針,減小信號與地的間距,減小連接器中產(chǎn)生輻射的有效信號環(huán)路面積,提供低阻抗 回流通路。必要時,要考慮將一些關(guān)鍵信號用地針隔離。
2.3 疊層設(shè)計
在成本許可的前提下,增加地線層數(shù)量,將信號層緊鄰地平面層可以減少EMI輻射。對于高速PCB,電源層和地線層緊鄰耦合,可降低電源阻抗,從而降低EMI。
2.4 布局
根據(jù)信號電流流向,進行合理的布局,可減小信號間的干擾。合理布局是控制EMI的關(guān)鍵。布局的基本原則是:
●模擬信號易受數(shù)字信號的干擾,模擬電路應與數(shù)字電路隔開;
●時鐘線是主要的干擾和輻射源,要遠離敏感電路,并使時鐘走線最短;
●大電流、大功耗電路盡量避免布置在板中心區(qū)域,同時應考慮散熱和輻射的影響;
●連接器盡量安排在板的一邊,并遠離高頻電路;
●輸入/輸出電路靠近相應連接器,去耦電容靠近相應電源管腳;
●充分考慮布局對電源分割的可行性,多電源器件要跨在電源分割區(qū)域邊界布放,以有效降低平面分割對EMI的影響;
●回流平面(路徑)不分割。
2.5 布線
●阻抗控制:高速信號線會呈現(xiàn)傳輸線的特性,需要進行阻抗控制,以避免信號的反射、過沖和振鈴,降低EMI輻射。
●將信號進行分類,按照不同信號(模擬信號、時鐘信號、I/O信號、總線、電源等)的EMI輻射強度及敏感程度,使干擾源與敏感系統(tǒng)盡可能分離,減小耦合。
●嚴格控制時鐘信號(特別是高速時鐘信號)的走線長度、過孔數(shù)、跨分割區(qū)、端接、布線層、回流路徑等。
●信號環(huán)路,即信號流出至信號流入形成的回路,是PCB設(shè)計中EMI控制的關(guān)鍵,在布線時必須加以控制。要了解每一關(guān)鍵信號的流向,對于關(guān)鍵信號要靠近回流路徑布線,確保其環(huán)路面積最小。
對低頻信號,要使電流流經(jīng)電阻最小的路徑;對高頻信號,要使高頻電流流經(jīng)電感最小的路徑,而非電阻最小的路徑(見圖1)。對于差模輻射,EMI輻射強度(E)正比于電流、電流環(huán)路的面積以及頻率的平方。(其中I是電流、A是環(huán)路面積、f是頻率、r是到環(huán)路中心的距離,k為常數(shù)。)
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