反激式功率因數(shù)校正電路的干擾分析及電磁兼容設(shè)計(jì)
5)濾波電感的鐵芯最好采用罐型或者環(huán)型,若用其他形狀可加短路環(huán)或磁屏蔽。線圈采用單層或分段式繞法,小電流時(shí)可采用蜂房繞制的多層線圈。共軛線圈不能采取雙線并繞,應(yīng)是對(duì)稱的兩個(gè)獨(dú)立線圈。本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/190487.htm
6)應(yīng)選用高頻特性好的電容器。
2.3 接地
必須注意電路中的接地問題,因?yàn)楣沧杩柜詈现饕ㄟ^公共地阻抗進(jìn)行。如果接地沒有處理好,可能會(huì)對(duì)電路引入很大的地干擾,從而使電路不能正常工作。以Boost電路為例,如果MOSFET的S極接地沒有處理,也就是說G極、S極、PWM信號(hào)和地之間構(gòu)成地回路很大的話,電路就不能正常工作,有時(shí)候PWM信號(hào)無法驅(qū)動(dòng)MOSFET,這就是通過公共地阻抗給Boost電路引入了一個(gè)很大的干擾。因此,在使用通用板子來布電路的時(shí)候,必須注意這些細(xì)節(jié),S極與地之間的導(dǎo)線要盡量短。使用通用板子時(shí),盡量用粗一點(diǎn)線來作為地線,還有,能夠連在一起的地應(yīng)盡量連在一起,接地點(diǎn)盡量粗一點(diǎn),還可以盡量加粗地線寬度,減少環(huán)路電阻。若地線很細(xì)或者接地點(diǎn)很小,接地電位則隨電流的變化而變化,使抗噪聲性能變壞。使用通用板子時(shí),還必須注意功率電路的地對(duì)信號(hào)地的干擾。
2.4 變壓器的設(shè)計(jì)
為了盡可能地減小變壓器的電磁噪聲,就要使其原邊繞組和副邊繞組的耦合系數(shù)盡可能接近1,從而減小漏磁通,達(dá)到減小漏感的目的。這就需要在變壓器的設(shè)計(jì)上下功夫,使原邊繞組和副邊繞組盡可能地靠近,同時(shí)和磁芯也要盡量靠近,這樣漏磁通就會(huì)減到最小。根據(jù)這個(gè)原則,最好的繞法就是原邊和副邊交叉并繞,這樣能達(dá)到使漏電感最小的目的。但是在實(shí)際應(yīng)用中,變壓器還要考慮原副邊之間的高壓隔離,所以實(shí)際當(dāng)中更多應(yīng)用的是“三明治”的夾心繞法(如圖3所示),即繞一層原邊,繞一層副邊,再繞一層原邊,或者一層副邊,一層原邊,最后一層副邊,這就能使原副邊之間的耦合更好,減少漏感,減少由于漏感引起的電磁感應(yīng)噪聲。(設(shè)計(jì)導(dǎo)線線徑的時(shí)候,除了應(yīng)當(dāng)考慮通過的電流大小和趨膚效應(yīng)之外,還應(yīng)當(dāng)力爭(zhēng)讓導(dǎo)線將每層都鋪平,而不要出現(xiàn)稀疏的兩三匝的現(xiàn)象,只有這樣,原副邊的耦合效果才能進(jìn)一步提高)。圖4給出了實(shí)驗(yàn)波形圖,從圖4可知,用夾心繞法繞制的變壓器,MOSFET上的振蕩小了很多。
圖3 變壓器的夾心繞法圖
(a)普通繞法
(b)夾心繞法
圖4 MOSFET的D、S之間的波形
評(píng)論