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          Multisim 10在單管共射放大電路中的應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2011-08-17 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          與電源電壓Vcc=12 V相比,該放大電路的Q點(diǎn)設(shè)置合理。在設(shè)置了合適的Q點(diǎn)之后,在輸入端加上低頻小信號(hào)電壓,觀察到如圖3所示的輸入/輸出信號(hào)波形圖。由圖3可見,輸入/輸出信號(hào)反相,輸出波形完整無(wú)失真,與輸入信號(hào)相比,輸出信號(hào)的幅值有很大增加??梢?,該電路基本實(shí)現(xiàn)了對(duì)低頻小信號(hào)的放大功能。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/191064.htm

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          在Q點(diǎn)的教學(xué)實(shí)踐中,學(xué)生對(duì)于Q點(diǎn)的理解往往很模糊,存在為何要設(shè)置Q點(diǎn),如何設(shè)置Q點(diǎn),Q點(diǎn)設(shè)置不合理會(huì)出現(xiàn)什么結(jié)果等疑問(wèn)。通過(guò)改變偏置電阻的阻值改變放大電路的偏置電壓來(lái)獲得合適的Q點(diǎn)。通過(guò)改變RB1的阻值來(lái)觀察Q點(diǎn)設(shè)置偏高和偏低所帶來(lái)的失真。取交流信號(hào)源為20 mVpk,頻率為2 kHz。當(dāng)RB1=17.6kΩ,對(duì)電路進(jìn)行直流工作點(diǎn)分析,得到VCE=0.442 2V,Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高,出現(xiàn)飽和失真(底部失真),輸入/輸出波形如圖4(a)所示。當(dāng)RB1=85 kΩ,得到VCE=11.609 8 V,Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)低,出現(xiàn)截止失真(頂部失真)。輸入/輸出波形如圖4(b)所示。通過(guò)演示,讓學(xué)生看到設(shè)置Q點(diǎn)不同會(huì)造成什么樣的結(jié)果,對(duì)Q點(diǎn)合理設(shè)置的理解就深入透徹了。

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