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          高速PCB設(shè)計(jì)中電容的作用

          作者: 時(shí)間:2011-03-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          第一部分:電容的分類

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/191293.htm

            電容在電路的設(shè)計(jì)中從應(yīng)用上進(jìn)行分類,可以將電容分為四類:

            第一類: AC耦合電容。主要用于Ghz信號(hào)的交流耦合。

            第二類: 退耦電容。主要用于保持濾除高速電路板的電源或地的噪聲。

            第三類: 有源或無源RC濾波或選頻網(wǎng)絡(luò)中用到的電容。

            第四類: 模擬積分器和采樣保持電路中用到的電容。

            在本文中我們將主要討論第二大類退耦電容。

            電容從制造的材料和工藝進(jìn)行分類,主要有以下不同形式的電容:

            1、NPO陶瓷電容器

            2、聚苯乙烯陶器電容器

            3、聚丙烯電容器

            4、聚四氟乙烯電容器

            5、MOS電容器

            6、聚碳酸酯電容器

            7、聚脂電容器

            8、單片陶瓷電容器

            9、云母電容器

            10、鋁電解電容器

            11、鉭電解電容器

            在實(shí)際的設(shè)計(jì)中由于,價(jià)格、采購等各方面原因經(jīng)常用的電容有:陶瓷電容、鋁電解電容、鉭電容。

            第二部分:電容的具體模型和分布參數(shù)

            要正確合理的應(yīng)用電容,自然需要認(rèn)識(shí)電容的具體模型以及模型中各個(gè)分布參數(shù)的具體意義和作用。和其他的元器件一樣,實(shí)際中的電容與理想電容器不同, 實(shí)際電容器由于其封裝、材料等方面的影響,其就具備有電感、電阻的一個(gè)附加特性,必須用附加的寄生元件或非理想 性能來表征,其表現(xiàn)形式為電阻元件和電感元件,非線性和介電存儲(chǔ)性能。實(shí)際電容器模型如下圖所示。由于這些寄生元件決定的電容器的特性,通常在電容器生產(chǎn)廠家的產(chǎn)品說明中都有詳細(xì)說明。在每項(xiàng)應(yīng)用中了解這些寄生作用,將有助于你選擇合適類型的電容器。

            

            從上面的圖我們可以看出,電容實(shí)際上應(yīng)該由六個(gè)部分組成。除了自己的電容C外,還有以下部分組成:

            1、等效串聯(lián)電阻ESR RESR :電容器的等效串聯(lián)電阻是由電容器的引腳電阻與電容器兩個(gè)極板的等效電阻相串聯(lián)構(gòu)成的。當(dāng)有大的交流電流通過電容器,RESR使電容器消耗能量(從而產(chǎn)生損耗)。這對(duì)射頻電路和載有高波紋電流的電源去耦電容器會(huì)造成嚴(yán)重后果。但對(duì)精密高阻抗、小信號(hào)模擬電路不會(huì)有很大的影響。RESR 最低的電容器是云母電容器和薄膜電容器。

            2、等效串聯(lián)電感ESL,LESL :電容器的等效串聯(lián)電感是由電容器的引腳電感與電容器兩個(gè)極板的等效電感串聯(lián)構(gòu)成的。像RESR 一樣,LESL 在射頻或高頻工作環(huán)境下也會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重問題,雖然精密電路本身在直流或低頻條件下正常工作。其原因是用于精密模擬電路中的晶體管在過渡頻率(transition frequencies)擴(kuò)展到幾百兆赫或幾吉赫的情況下,仍具有增益,可以放大電感值很低的諧振信號(hào)。這就是在高頻情況下對(duì)這種電路的電源端要進(jìn)行適當(dāng)去耦的主要原因。

            3、等效并聯(lián)電阻EPR RL :就是我們通常所說的電容器泄漏電阻,在交流耦合應(yīng)用、存儲(chǔ)應(yīng)用(例如模擬積分器和采樣保持器)以及當(dāng)電容器用于高阻抗電路時(shí),RL 是一項(xiàng)重要參數(shù),理想電容器中的電荷應(yīng)該只隨外部電流變化。然而實(shí)際電容器中的RL 使電荷以RC時(shí)間常數(shù)決定的速率緩慢泄漏。

            4、還是兩個(gè)參數(shù)RDA、CDA 也是電容的分布參數(shù),但在實(shí)際的應(yīng)該中影響比較小,這里就不介紹了。所以電容重要分布參數(shù)的有三個(gè):ESR、ESL、EPR。其中最重要的是ESR、ESL,實(shí)際在分析電容模型的時(shí)候一般只用RLC簡化模型,即分析電容的C、ESR、ESL,這我們將在下周做重點(diǎn)分析電容的簡化模型。

            5、下面我們?cè)诮榻B詳細(xì)模型的基礎(chǔ)上,談?wù)勎覀冊(cè)O(shè)計(jì)中經(jīng)常用到兩種電容:

            6、電解電容器(比如:鉭電容器和鋁電解電容器)的容量很大,由于其隔離電阻低,就是等效并聯(lián)電阻EPR很小,所以漏電流非常大 (典型值520nA/μF),因此它不適合用于存儲(chǔ)和耦合。電解電容比較適合用于電源的旁路電容,用于穩(wěn)定電源的供電。最適合用于交流耦合及電荷存儲(chǔ)的電容器是聚四氟乙烯電容器和其它聚脂型(聚丙烯、聚苯乙烯等)電容器。

            7、單片陶瓷電容器,比較適合用于高頻電路的退耦電容,因?yàn)樗鼈兙哂泻艿偷牡刃Т?lián)電感,就是等效串聯(lián)電感ESL很小,具備有很廣的退耦頻段。這和他的結(jié)構(gòu)構(gòu)成有很大的關(guān)系單片陶瓷電容器是由多層夾層金屬薄膜和陶瓷薄膜構(gòu)成的,而且這些多層薄膜是按照母線平行方式排布的,而不是按照串行方式卷繞的。

            8、這周我們談了電容的詳細(xì)的等效模型,相信大家現(xiàn)在對(duì)電容應(yīng)該有比較深的認(rèn)識(shí)了,下周我們將繼續(xù)談,我們實(shí)際分析應(yīng)用中要經(jīng)常用到的電容的簡化等效模型,和他阻抗曲線的由來和意義。


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