屏蔽在電磁兼容中運(yùn)用

　　質(zhì),于是在板的左表面產(chǎn)生反射,使一部分電磁波Hor(或Eor)向左傳播,即反射波。另一部分電磁波射入金屬內(nèi)部,其場(chǎng)強(qiáng)為Hmo(或Emo ),向右繼續(xù)傳播,經(jīng)過(guò)金屬板厚度t后,由于金屬對(duì)電磁波的吸收,場(chǎng)強(qiáng)減弱至Hmt(或Emt)。

　　到達(dá)金屬板右界面的電磁波,又有一部分被反射回金屬向左傳播,其反射場(chǎng)強(qiáng)為Hmr(或Emr);另一部分穿過(guò)右界面向右繼續(xù)傳播。其場(chǎng)強(qiáng)為Ht(或 Et)。因此,電磁波經(jīng)過(guò)金屬板時(shí),通過(guò)反射、吸收,場(chǎng)強(qiáng)逐漸減弱。故金屬板的屏蔽作用是左界面的反射、金屬中的吸收和右界面的反射等三部分組成的。實(shí)際上,上述金屬板內(nèi)的電磁波反射吸收過(guò)程并不是只進(jìn)行一次就完成的,而是在金屬板的兩個(gè)界面之間往復(fù)多次直到耗盡。電磁波在金屬內(nèi)的損耗表現(xiàn)為渦流損耗。渦流的密度隨著透入金屬內(nèi)部的深度的增加而按指數(shù)規(guī)律減小,且隨電磁波的頻率不同而變,頻率愈高,渦流在表面的損耗就愈大。

　　3.2　影響屏蔽效果的幾個(gè)因素及其解決措施

　　3.2.1　材料

　　當(dāng)電磁波通過(guò)金屬板時(shí),由于金屬板產(chǎn)生感應(yīng)渦流形成歐姆損耗,并轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮軗p耗,與此同時(shí),渦流反磁場(chǎng)抵消入射波干擾場(chǎng)產(chǎn)生吸收損耗。用于電場(chǎng)屏蔽的屏蔽效能可由下式表示:

　　由以上公式可以看出,金屬的導(dǎo)電、導(dǎo)磁能力越強(qiáng),金屬吸收電磁波能力越強(qiáng);電磁波的頻率越高,越易被金屬吸收。下面給出了常見(jiàn)金屬的相對(duì)磁導(dǎo)率、相對(duì)電導(dǎo)率(見(jiàn)表1)。

　　因此,在選擇屏蔽材料時(shí),綜合其他因素應(yīng)遵循以下原則:

　　1)當(dāng)干擾電磁場(chǎng)的頻率較高時(shí),利用低電阻率的金屬材料中產(chǎn)生的渦流。形成對(duì)外來(lái)電磁波的抵消作用,從而達(dá)到屏蔽的效果。

　　2)當(dāng)干擾電磁場(chǎng)的頻率較低時(shí),要采用高導(dǎo)磁率的材

　　料,從而使磁力線限制在屏蔽體內(nèi)部,防止擴(kuò)散到屏蔽的空間去。

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