基于FPGA和IP Core的定制緩沖管理的實(shí)現(xiàn)

　　以圖5的讀出操作為例，當(dāng)Read Control模塊由PQ List的首地址0讀出相應(yīng)的BRAM中的內(nèi)容，同時(shí)讀出PRAM中對(duì)應(yīng)的下一跳地址1，更新地址1為新的首地址。這時(shí)，地址0為已經(jīng)釋放的地址，按空閑隊(duì)列的操作要求，地址0需要進(jìn)入空閑地址隊(duì)列中，在寫(xiě)操作時(shí)再將地址0讀出提供給Write Control模塊用于寫(xiě)B(tài)RAM。而基于圖6的結(jié)構(gòu)，地址0在被釋放后不再進(jìn)行更新PRAM中的空閑地址隊(duì)列Free List的操作，直接寫(xiě)入片內(nèi)緩沖中，在Write Control模塊申請(qǐng)地址時(shí)由片內(nèi)緩沖中讀出提供給Write Control模塊 。僅在片內(nèi)Free List緩沖幾乎滿時(shí)，進(jìn)行PRAM中的空閑地址隊(duì)列Free List的更新操作，或在片內(nèi)Free List緩沖空時(shí)進(jìn)行PRAM中的空閑地址隊(duì)列Free List的讀取操作?；趫D6的結(jié)構(gòu)，在一個(gè)讀寫(xiě)周期內(nèi)，可以節(jié)省兩次PRAM的操作，在最壞情況下也可節(jié)省一次PRAM的操作。但基于堆棧的結(jié)構(gòu)，棧頂?shù)牡刂繁桓哳l率的反復(fù)的調(diào)用，棧底的地址很難被使用，DRAM的工作壽命會(huì)因此受到影響。為保證DRAM的工作壽命，在有些系統(tǒng)中將空閑地址隊(duì)列Free List做成鏈表形式，從而保證每個(gè)DRAM的存儲(chǔ)空間都能被平均的使用。讀出操作的Free Lis鏈表結(jié)構(gòu)如圖7所示。

圖7 讀出操作的Free Lis鏈表結(jié)構(gòu)

　　Read Control模塊由PQ List的首地址0讀出相應(yīng)的BRAM中的內(nèi)容，同時(shí)讀出PRAM中對(duì)應(yīng)的下一跳地址1，更新地址1為新的首地址。

　　Free List相對(duì)于堆棧模式增加尾指針d。Free List在回收地址時(shí)維持首指針a不變，將尾指針d更新為剛釋放的地址0，同時(shí)地址d中寫(xiě)入下一跳指針0。這樣一次BRAM的讀出操作同樣需要一次PRAM的讀取操作及一次PRAM的寫(xiě)入操作。對(duì)于鏈表方式的空閑地址隊(duì)列Free List，在每個(gè)讀、寫(xiě)周期必須進(jìn)行兩次PRAM的寫(xiě)入操作及兩次PRAM的讀取操作，PRAM的效率不高。

　　針對(duì)兩種空閑地址隊(duì)列的效率及對(duì)DRAM的影響，在很多系統(tǒng)中采用了折中的方法，即在PRAM中使用鏈表方法管理空閑地址隊(duì)列Free List，在片內(nèi)采用堆棧模式另建一個(gè)空閑地址隊(duì)列Free List，在這種情況下，每個(gè)讀、寫(xiě)周期需要三次PRAM的操作。

　　在實(shí)際系統(tǒng)中，BRAM的帶寬與PRAM的帶寬一般為TM的瓶頸，PRAM主要受限于訪問(wèn)的次數(shù)，而B(niǎo)RAM受限于接口帶寬。

　　在10G的TM系統(tǒng)中，片內(nèi)數(shù)據(jù)總線的位寬定為128位，系統(tǒng)時(shí)鐘定為150MHz，BCELL的大小定為64B。在這種情況下，讀取操作和寫(xiě)入操作均為4個(gè)時(shí)鐘周期。在滿足10G系統(tǒng)的需求下，讀取、寫(xiě)入操作周期為7個(gè)時(shí)鐘周期。在前面曾計(jì)算過(guò)，在滿足10G TM系統(tǒng)的情況下，BRAM采用64位 DDR II SDRAM，接口時(shí)鐘使用250MHz即可滿足數(shù)據(jù)接口的需求。PRAM采用32位ZBT SRAM ，接口時(shí)鐘使用系統(tǒng)時(shí)鐘，每個(gè)PCELL為64位，每個(gè)讀、寫(xiě)周期需要6個(gè)時(shí)鐘周期完成。在實(shí)際系統(tǒng)中采用Altera FPGA，BM的設(shè)計(jì)可以滿足10G的TM線速工作的需求。

　　在40G核心網(wǎng)的TM系統(tǒng)中，片內(nèi)數(shù)據(jù)總線的位寬為256位，系統(tǒng)時(shí)鐘采用250MHz(在40GE的系統(tǒng)中可選用200MHz)。采用DDR II SDRAM，接口時(shí)鐘使用333MHz，則192位的BRAM可以滿足40G的TM需求。此時(shí)，BCELL可為96B、192B、384B，在這里選用1

　　92B。當(dāng)BCELL選用192B時(shí)，讀取操作和寫(xiě)入操作同樣均為6個(gè)時(shí)鐘周期。在滿足40G系統(tǒng)的需求下，讀取、寫(xiě)入操作周期為9個(gè)時(shí)鐘周期。PRAM采用48位QDR SRAM，接口時(shí)鐘使用150MHz，每個(gè)PCELL為96位，在每個(gè)讀、寫(xiě)時(shí)鐘周期內(nèi)，PRAM最多可被操作5次。在采用Altera FPGA的情況下，BRAM采用192位 DDR II SDRAM，PRAM采用48位QDR SRAM，BM的設(shè)計(jì)可以滿足40G的TM線速工作的需求。