PCB板干膜防焊膜應(yīng)用步驟

干膜阻焊劑是以一種光敏聚合物膜的形態(tài)出現(xiàn)的，不是普通狀態(tài)的液體狀或糊狀，這層光敏聚合物膜夾在兩層保護(hù)層之間，這兩層保護(hù)層保護(hù)中間的感光乳劑膜以防止其在操作過程中受到破壞。應(yīng)用干膜防焊膜的步驟詳述如下:

1.表面準(zhǔn)備工作
在該階段，將電路板表面上的錫/錫-鉛金屬阻焊劑進(jìn)行剝離并用清水清洗電路板表面，并將其徹底烘干，然后對銅表面進(jìn)行一系列的清洗過程，例如:
1 )用熱的強(qiáng)堿洗液去油脂;
2) 水漂洗;
3) 對表面銅層進(jìn)行1 -2.5μm 的微蝕刻，這是為了增強(qiáng)干的光敏聚合物膜與表面的粘接性;
4) 進(jìn)行檢測以確保完全將錫/錫-鉛去除;
5) 水漂洗;
6) 在10% 的硫酸中浸蘸1 - 2min.
7) 水漂洗;
8) 研磨清潔(320 研磨刷和浮石擦洗)
9) 高壓水漂洗并烘干。
用褐色氧化物和黑色氧化物對銅層進(jìn)行受控氧化是用來增加表面與防焊膜的粘接性，氧化處理過程必須嚴(yán)密控制以使氧化層厚度保持為0.5 - 1.0μm ，如果氧化后的電路板存放時間過久，在壓合前表面必須進(jìn)行徹底的去油脂。

2. 預(yù)壓合烘干
吸收水氣和水分的殘留是電路板起泡和分層最常見的幾個原因，因此將所有的駐水從印制電路板表面和孔洞中去除就顯得特別重要?？梢允褂酶邏捍碉L(fēng)機(jī)將水從電路板的表面和孔洞中予以物理清除，在這一步驟中也可以使用高壓真空氣刀。

可以通過將電路板在(1 10±10) C這一溫度下烘烤15 - 20min 以去除電路板吸收的濕氣，也可以使用裝設(shè)有運(yùn)輸帶的紅外線烤爐在80 - 120 C這一溫度下烘烤30s 。不同基材的電路板和不同厚度的電路板需要不同的烘干時間，應(yīng)當(dāng)避免過長的烘烤時間和烘烤溫度，因為這會增加銅氧化物的生成而導(dǎo)致粘接性變差。

3. 壓合
真空壓合保證所有的導(dǎo)線完全被光敏聚合物防焊膜所封裝，并使電路板沒有殘存的氣泡。

4. 掩膜寬度的選擇

干膜寬度的選擇應(yīng)當(dāng)根據(jù)制程板的寬度而定，干膜的寬度不應(yīng)當(dāng)超過制程板寬10 mm 以上，以避免邊緣修整損耗。壓合時可以同時壓合兩面也可以先壓合完一面再壓合另一面，這主要根據(jù)所使用層壓機(jī)的類型和干膜的類型而確定。

5. 壓合后的維持時間
壓合和曝光之間的維持時間應(yīng)當(dāng)進(jìn)行仔細(xì)的控制以獲得最佳的效果。壓合剛剛完成時，所需的曝光能量較低，它隨著維持時間的增長而迅速增加，并逐漸穩(wěn)定到一個常數(shù)值。因此，壓合后的維持時間應(yīng)當(dāng)保持一個常數(shù)值以避免曝光時間劇烈的變化。

6. 曝光(底片)
通常，光敏聚合物防焊膜為負(fù)性工作，因此它需要正性的底片(焊墊區(qū)域不透明)以便曝光。由于所需的能量較高，故底片必須具有很高的密度，其密
度最大值Dmax 最小也要大于4 以避免焊墊區(qū)域產(chǎn)生防焊膜，空白區(qū)域的密度最小值Dmin 必須小于0.15 。由于掩膜的密度隨著使用而不斷改變，故底片必須周期性的進(jìn)行檢查以保證Dmax 最小也要大于4 。

通常使用7mil 的單面藥膜偶氮棕片可以獲得最佳效果，對于不需要透過焊墊對齊的對位系統(tǒng)而言，可以使用鹵化銀掩膜，將其有藥膜的一面與電路板緊緊的貼在一起以獲得最佳的曝光效果和邊緣逼真齊直度。底片不透明的焊墊區(qū)域最小應(yīng)為0.1 -0. 15mm ，它應(yīng)該比印制電路板上焊墊的直徑略大。

通過使用Stouffer 21 階曝光尺Θ,可確定和監(jiān)控曝光時間以及隨后的聚合度。為了確定正確的曝光值，維持時間和顯像條件必須是相容的。使用的Stouffer 21階曝光尺將超過50% 民阻劑覆蓋定義為最后一個階段。需要一定的相容維持時間以使聚合過程完成并進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。

7. 顯像
顯像過程是將未曝光的(未聚合的)阻焊劑從印制電路板表面沖掉，某一類特定的光敏聚合物的顯像時間取決于所采用的化學(xué)物質(zhì)，正確的顯像時間通
過控制未曝光的阻劑可以從印制電路板表面完全沖掉的時間點而確定，需要將焊接阻劑從電路板的焊墊和孔洞中完全去除以獲得良好的焊接性。常用的化學(xué)物質(zhì)為:水溶液和顯影劑。

在水溶液顯影中，通常將稀釋的碳酸鈾溶液加入到99% 的純水中，其使用溫度為45 'C ，使用該溶液后，印制電路板進(jìn)行完全顯像時所經(jīng)歷過的沖刷路程，以占顯像室長度的40% - 60% 之間為宜，使用顯影劑時，采用1-1-1 三氯乙燒Θ,，其顯像點應(yīng)當(dāng)設(shè)置在顯像室全部長度的25% 處。