基于MATLAB的單相橋式整流電路研究
單相橋式半控整流電路的仿真模型如圖2所示。本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/192008.htm
圖2 單相橋式半控整流電路的仿真模型
(1)帶純電阻性負(fù)載情況
相應(yīng)的參數(shù)設(shè)置:① 交流電壓源參數(shù)U=100V,f=50Hz;② 晶閘管參數(shù)Rn=0.001Ω,Lon=0H,Vf=0.8V,Rs=10Ω,Cs=250e-6F;③ 負(fù)載參數(shù)R=10Ω,L=0H,C=inf;④ 脈沖發(fā)生器觸發(fā)信號(hào)1、2的振幅為5V,周期為0.02s(即頻率為50Hz),脈沖寬度為2。
設(shè)置觸發(fā)信號(hào)1的初相位為0s(即0),觸發(fā)信號(hào)2的初相位為0.01s(即180),此時(shí)的仿真結(jié)果如圖3(a)所示;設(shè)置觸發(fā)信號(hào)1的初相位為0.0025s(即45),觸發(fā)信號(hào)2的初相位為0.0125s(即225),此時(shí)的仿真結(jié)果如圖3(b)所示。
(a) (b)
圖3 帶純電阻性負(fù)載單相橋式半控整流電路的仿真模型:
(a)控制角為0;(b)控制角為45
(2)帶電阻電感性負(fù)載情況
帶電阻電感負(fù)載的仿真與帶純電阻負(fù)載的仿真方法基本相同,只需將RLC串聯(lián)分支負(fù)載參數(shù)設(shè)置為R=1Ω,L=0.01H,C=inf。此時(shí)的仿真結(jié)果分別如圖4(a)、圖4(b)所示。
(a) (b)
圖4 帶電阻電感性負(fù)載單相橋式半控整流電路的仿真模型:
(a)控制角為0 ;(b)控制角為45
3 單相橋式全控整流電路
單相可控整流電路中應(yīng)用最多的是單相橋式全控整流電路(Single Phase Bridge Full-Controlled Rectifier),如圖5所示。在單相橋式全控整流電路中,每一個(gè)導(dǎo)電回路中有2個(gè)晶閘管,即用2個(gè)晶閘管同時(shí)導(dǎo)通以控制導(dǎo)電的回路。
圖5 單相橋式全控整流電路原理
評(píng)論