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          基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

          作者:葉振榮 王烈洋 時(shí)間:2013-11-27 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            摘要: 應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用管理接口結(jié)合I/O口來實(shí)現(xiàn) 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法,并介紹底層的驅(qū)動(dòng)程序。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/192739.htm

            元件介紹

            基于sparc 架構(gòu)的

            S698-MIL 是珠海歐比特控制工程股份有限公司為了滿足應(yīng)用而開發(fā)的32 位RISC 高性能微處理器,它遵循SPARC V8 構(gòu)架。

            S698-MIL 內(nèi)部配置了32 位整數(shù)處理單元(IU),32/64 位浮點(diǎn)處理單元(FPU)。

            S698-MIL 的應(yīng)用軟件開發(fā)環(huán)境具有很強(qiáng)的靈活性,除了可以使用歐比特公司提供的專用多任務(wù)實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)ORION 外,開發(fā)者還可以選擇如RTEMS、VxWorks等現(xiàn)今流行的嵌入式操作系統(tǒng)進(jìn)行開發(fā)。

            S698-MIL 可應(yīng)用于包括稅控收款機(jī)、銀行POS 機(jī)、電力系統(tǒng)等高端工業(yè)控制領(lǐng)域和消費(fèi)電子領(lǐng)域以及高性能高可靠的航空、航天及武器領(lǐng)域。

             結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)芯片

            目前的Flash memory 主要包括以下兩大類:針對(duì)程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的NOR flash ;針對(duì)大容量存儲(chǔ)的NAND flash 。其中,NOR 的特點(diǎn)為芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash 閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM 中,隨機(jī)讀取快、功耗低、穩(wěn)定性高;而NAND 的特點(diǎn)為容量大、寫速度快、芯片面積小。

            VDNF64G08是一個(gè)快速、高存儲(chǔ)密度的隨機(jī)訪問。它由8個(gè)8G位的NAND Flash芯片堆疊而成,結(jié)構(gòu)見圖2。整個(gè)模塊采用堆疊技術(shù),它們之間的互相連接線非常短,寄生電容小。這種芯片非常適用于高速、高性能、高容量的嵌入式系統(tǒng)中。

            VDNF64G08對(duì)一個(gè)2048(+64)字節(jié)的頁(yè)進(jìn)行典型的編程操作只要200μs的時(shí)間,對(duì)一個(gè)128K(+4K)大小的塊進(jìn)行擦除需要1.5ms的時(shí)間,對(duì)頁(yè)中一個(gè)字節(jié)的讀周期為25ns。它的I/O管腳既作地址和數(shù)據(jù)的輸入輸出口,也作為命令的輸入口。VDNF64G08的片上寫控制器能自動(dòng)完成所有的編程、擦除功能包括產(chǎn)生所需的脈沖重復(fù)和內(nèi)部數(shù)據(jù)校驗(yàn)。VDNF64G08能擦除和編程百萬(wàn)次以上,并通過ECC 或?qū)崟r(shí)制定算法保證擦除和編程的可靠性。

            硬件設(shè)計(jì)

            由于S698沒有專用的NAND Flash的專用接口,所有NANDFlash與S698-mil的通信使用GPIO實(shí)現(xiàn),NAND Flash的IO口與S698-mil的GPIO0低8位GPIO0[7 :0]連接,用于數(shù)據(jù),地址,命令的傳輸。NAND Flash的片選信號(hào)使用S698-mil的低3位地址線ADD[2 :0],通過3-8譯碼實(shí)現(xiàn),其中3-8譯碼器使用S698-mil的IOCS0控制工作,防止對(duì)VDNF64G08的誤操作。VDNF64G08的讀寫信號(hào)直接與S698-mil的讀寫信號(hào)相連,如果線路較長(zhǎng)可以考慮串聯(lián)一個(gè)49.9R的電阻。命令鎖存CLE,地址鎖存ALE分別使用S698-mil的地址線ADD[3],ADD[4]。狀態(tài)信號(hào)RB上拉10kΩ電阻到電源,不再與S698-mil相連,VDNF64G08的狀態(tài)信息通過IO口讀實(shí)現(xiàn),以節(jié)約S698-mil的端口資源。寫保護(hù)端口上拉10kΩ到電源,否則不可擦除及編程。相關(guān)連接見圖2。

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