基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

　　軟件設(shè)計

　　根據(jù)前面的介紹，通過圖3的硬件連接方式，可以實現(xiàn)對芯片的讀寫，擦除等控制操作，已可以滿足各種場合的應(yīng)用，S698-mil處理器是通過GPIO來操作控制VDNF64G08的，所以需要對底層操作需要比較了解，下面簡單介紹一些常用操作的實現(xiàn)。

　　S698-mil芯片GPIO0對應(yīng)的寄存器地址為0x2000 0000 – 0x27ff ffff，因為VDNF64G08芯片位寬是8bit的，所以需要把MCU的GPIO位寬也定義成8bit，根據(jù)前面的硬件連接可以知道地址低3位對應(yīng)到VDNF64G08芯片的片選信號，add[4]對應(yīng)到CLE，add[5]對應(yīng)到ALE，為了方便編程，這里做以下宏定義 :
　　#define NF_ADDREG(CE) (*(volatile unsigned char *) (0x20000010 + CE))
　　#define NF_CMDREG(CE) (*(volatile unsigned char *) (0x20000008 + CE))
　　#define NF_DATAREG(CE) (*(volatile unsigned char *) (0x20000000 + CE))

　　讀芯片ID

　　根據(jù)芯片指令表，可以知道讀ID芯片只需要寫入命令0x90，然后在寫入地址0x0即可，詳細操作可以根據(jù)以下時序圖進行：
　　int readID(unsigned char CE,unsigned IDlength)
　　{
　　unsigned char ID[],i;
　　NF_CMDREG(CE) = 0x90;
　　NF_ADDREG(CE) = 0x0;
　　delayed(1);
　　for(i = 0;i < IDlength;i++)
　　{
　　ID[i] = NF_DATAREG(CE);
　　}
　　i = i - 1;
　　printf("CHIP CE d% ID:0x%x",ID[0]);
　　while(i){
　　printf("-%x",ID[IDlength - i]);
　　i --;
　　}
　　printf("nr");
　　}

　　芯片壞塊查詢

　　由于NAND Flash的工藝不能保證NAND 的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND 的生產(chǎn)中及使用過程中會產(chǎn)生壞塊。為了檢測數(shù)據(jù)的可靠性，在應(yīng)用NAND Flash的系統(tǒng)中一般都會采用一定的壞區(qū)管理策略，而管理壞區(qū)的前提是能比較可靠的進行壞區(qū)檢測。檢測流程如圖4所示。