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          超快速IV測(cè)試技術(shù)-半導(dǎo)體器件特性測(cè)試的變革

          作者: 時(shí)間:2011-08-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          圖2 4225-PM超快速測(cè)量模塊

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/194781.htm

            事實(shí)上吉時(shí)利有很多客戶在很久前就向我們提出了準(zhǔn)確表征器件瞬態(tài)效應(yīng)的要求,如同幻燈片所示,這些要求曾經(jīng)是讓客戶抓狂的事情,SMU可以給他們提供足夠的精度和方便的測(cè)試設(shè)定,但卻無法提供足夠的速度。正如之前提到的,SMU的量測(cè)都是在1毫秒以后完成的,而這里所列的事情在1毫秒以內(nèi)早已完成,也曾經(jīng)有一些動(dòng)手能力很強(qiáng)的客戶,他們?cè)囍妹}沖發(fā)生器和示波器搭建超快速IV量測(cè)系統(tǒng),但這樣的系統(tǒng)往往連線非常復(fù)雜,而且往往得不到準(zhǔn)確和可重復(fù)的數(shù)據(jù)。如果無法在實(shí)驗(yàn)室里得到可重復(fù)的數(shù)據(jù),又如何發(fā)表研究成果呢?

            再深入看幾個(gè)實(shí)際的例子。這里所示的是一種SOI器件,我們知道MOS襯底是硅,SOI的襯底則是硅的氧化物。之所以用硅的氧化物作為襯底就是為了降低功耗,因?yàn)檠趸璧慕^緣性比硅要好很多,從襯底流走的電流都會(huì)被二氧化硅所阻擋,但是SOI器件有一個(gè)副作用,在氧化硅阻擋電流的同時(shí)也阻擋了熱量的散發(fā)。柵極通常都是二氧化硅,如果襯底也是二氧化硅的話,就好像在熱天下面墊毛毯上面蓋棉被,而SOI工藝通常被用在高功率器件上,這樣功率大產(chǎn)生的熱量就更多。從圖上可以看到,用SMU測(cè)得的電流會(huì)有一個(gè)明顯下降的趨勢(shì),這是由于器件發(fā)熱造成的。而用超快速IV量測(cè)就可以得到器件沒有發(fā)熱時(shí)的本身特性,通過這個(gè)方法,我們就能夠準(zhǔn)確評(píng)估器件發(fā)了多少熱量,以及發(fā)熱對(duì)器件的影響到底有多大。

            

            圖3 4225-PMU連接電路圖

            另外一個(gè)例子是HIKI材料。柵極電容大小決定了柵極對(duì)溝道的控制能力,隨著器件越做越小,簡(jiǎn)單的把柵極氧化層做得更薄已經(jīng)無法滿足需求,這個(gè)時(shí)候就需要引入HIKI材料。所謂HIKI通常指在硅的氧化物里再摻加一些別的元素,以提高材料的界電常數(shù)。但世界上沒有免費(fèi)的午餐,引入HIKI材料固然提高了柵極的控制力,卻使得原來成熟的材料變得缺陷多多,載流子在運(yùn)行的時(shí)候,就會(huì)被這些缺陷捕獲,這效應(yīng)被稱為電荷陷阱效應(yīng)??椿脽粲疫叺膬蓮垐D,給器件打2V的脈沖,在上升沿和下降沿分別測(cè)試IDS曲線,上面的圖兩條曲線幾乎重合,而下面的圖卻區(qū)別明顯,這是因?yàn)槊}沖寬度不同。下面圖的脈沖寬度是5微秒,而正是5微秒的等待使一些載流在被捕獲到柵極內(nèi),使得器件的特性發(fā)生了很大的變化。

            接下來的例子是和場(chǎng)效應(yīng)管的可靠性有關(guān)的。目前發(fā)現(xiàn)的場(chǎng)效應(yīng)管的可靠性問題主要有兩個(gè),一個(gè)是熱載流子GHCI,另一個(gè)是負(fù)偏壓高溫不穩(wěn)定性MBTI。熱載流子是比較傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試項(xiàng)目,而MBTI同它相比有一些獨(dú)特的地方,對(duì)MBTI效應(yīng)來說,只要把施加在器件上的應(yīng)力祛除,器件的衰退就會(huì)發(fā)生迅速的恢復(fù),恢復(fù)速度非??觳⑶液蜏囟扔嘘P(guān),在常溫下可以實(shí)現(xiàn)100%的恢復(fù),如果測(cè)試的速度太慢,就無法準(zhǔn)確表征MBTI效應(yīng)。

            PMU工作原理和基本操作方式

            PMU是Pulse Measure Unit的簡(jiǎn)稱,即脈沖測(cè)試單元,這是吉時(shí)利儀器2011年才推出的產(chǎn)品。PMU由兩個(gè)部分組成,一個(gè)是插在4200主機(jī)箱里的4225PMU插卡,每塊PMU插卡有兩個(gè)完全獨(dú)立的通道;另外一個(gè)是遠(yuǎn)端的測(cè)試附件4225RPM。

            

            圖4 PMU連線方式

            PMU架構(gòu)

            一塊PMU由兩個(gè)獨(dú)立的通道組成,每個(gè)通道由一個(gè)50MHz的脈沖發(fā)生器,一組采樣率為200M的測(cè)試單元和電壓測(cè)試單元組成,可以理解為一個(gè)50MHz的脈沖發(fā)生器帶一個(gè)電壓示波器和一個(gè)電流示波器。PMU有非常廣闊的電壓和電流的測(cè)試和輸出范圍,每個(gè)PMU通道都可以連接一個(gè)4225RPM以提高其測(cè)試的準(zhǔn)確度。由于脈沖發(fā)生器和示波器都是內(nèi)置的,就不需要復(fù)雜的連線了,而且吉時(shí)利獨(dú)到的設(shè)計(jì)保證了PMU在高速測(cè)量下依然能夠得到準(zhǔn)確的數(shù)據(jù),可以說在速度和經(jīng)典之間找到了一個(gè)完美的平衡。

            PRM可以用來提高PMU測(cè)試的準(zhǔn)確度,它還有另外一個(gè)功能,可以用來做DCIV、IV和超快速IV之間的切換,在RPM上有一個(gè)多色的LED燈,分別用紅色、藍(lán)色和綠色代表CV、DCIV以及超快速IV。由于超快速IV本質(zhì)上是一種高頻測(cè)試,所以將PMU連接到線上的時(shí)候就需要注意高頻信號(hào)的保護(hù),需要特別注意。由于一個(gè)經(jīng)常需要進(jìn)行DCIV、CV及超快速IV三種量測(cè),而這三種量測(cè)所需的連線各有不同,這需要用戶在這三種連線間進(jìn)行切換。在推出PMU的時(shí)候,吉時(shí)利就注意到了這個(gè)問題,如圖右面所示,在RPM輸入端黑色的電線是SMU,紅色的電線是CVU,白色的電線是PMU,在RPM的輸出端是特別的藍(lán)色的多功能Cable,能夠同時(shí)為這三種測(cè)試服務(wù)。

            

            圖5 4225-PMU三種工作模式

            通過這樣的設(shè)置,客戶可以在一個(gè)測(cè)試的設(shè)定下依次完成DVIC、CV及超快速IV的量測(cè)而不需要更換連線。從圖中可以看到,4200SMU可以測(cè)得非常準(zhǔn),如果給4200SMU1秒鐘的時(shí)間,它能準(zhǔn)確的測(cè)量出0.1fA的電流,但是4200SMU最快的測(cè)量也需要10毫秒才能完成。再看PMU,如果給PMU10毫秒,它能準(zhǔn)確的測(cè)量到pA級(jí)別的電流,同時(shí)PMU也能夠在納秒的級(jí)別進(jìn)行量測(cè),也即是說PMU在速度和精度之間找到了最好的平衡點(diǎn)。

            PMU的關(guān)鍵參數(shù)。PMU最大的電壓和電流分別是40V和0.8A,電流和電壓的精度分別是0.5%+800pA和0.25%+10mV,采樣率是每5ns量測(cè)一個(gè)點(diǎn),PMU內(nèi)部脈沖發(fā)生器可以產(chǎn)生50MHz的激勵(lì)信號(hào),最小的脈沖寬度是20ns。



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